IRF2903ZPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF2903ZPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF2903ZPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 150µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.4mOhm @ 75A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 290W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6320 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 240 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRF2903 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF2903ZPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF2903ZPBF | IRF2807ZS | IRF2807ZSPBF | IRF2903ZSPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.4mOhm @ 75A, 10V | 9.4mOhm @ 53A, 10V | 9.4mOhm @ 53A, 10V | 2.4mOhm @ 75A, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 基本製品番号 | IRF2903 | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | D2PAK | PG-TO263-3-2 | D2PAK |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 150µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 150µA |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6320 pF @ 25 V | 3270 pF @ 25 V | 3270 pF @ 25 V | 6320 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 240 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | - | 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tc) | 75A (Tc) | 75A (Tc) | 75A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 75 V | 75 V | 30 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 290W (Tc) | 170W (Tc) | 170W (Tc) | 231W (Tc) |
IRF2903ZPBF - Infineon TechnologiesのIRF2903ZPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF2807ZPBF MOSIRIRF2807ZSInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 75A D2PAKIRF2807ZSPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 75V 75A TO263-3-2IRF2903ZSPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 75A D2PAKIRF2807ZS MOSIRIRF2807ZSTRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 75A D2PAKIRF2807ZLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 75A TO262IRF2903ZSPBF MOSIRIRF2903ZSIRIRF2807ZSPBF MOSIRIRF2807ZSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 75A D2PAKIRF2907ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 160A TO220ABIRF2903ZIRIRF2903ZS MOSIRIRF2807ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 75A TO220ABIRF2907ZIRIRF2907IRIRF2907ZLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 160A TO262| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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