RRL035P03TRの技術仕様
Rohm Semiconductor - RRL035P03TR技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RRL035P03TR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TUMT6 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 50mOhm @ 3.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 320mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 6-SMD, Flat Leads | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 800 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.5A (Ta) | |
| 基本製品番号 | RRL035 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RRL035P03TRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RRL035P03TR | NVMFS5C670NT1G | STF12N60M2 | IRFH5106TRPBF |
| メーカー | Rohm Semiconductor | onsemi | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 800 pF @ 10 V | 1035 pF @ 30 V | 538 pF @ 100 V | 3090 pF @ 25 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±25V | ±20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.5A (Ta) | 17A (Ta), 71A (Tc) | 9A (Tc) | 21A (Ta), 100A (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | 4V @ 53µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8 nC @ 5 V | 14.4 nC @ 10 V | 16 nC @ 10 V | 75 nC @ 10 V |
| 基本製品番号 | RRL035 | NVMFS5 | STF12 | - |
| パッケージ/ケース | 6-SMD, Flat Leads | 8-PowerTDFN, 5 Leads | TO-220-3 Full Pack | 8-PowerVDFN |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 60 V | 600 V | 60 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TUMT6 | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | TO-220FP | 8-PQFN (5x6) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | 10V | 10V | 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 電力消費（最大） | 320mW (Ta) | 3.6W (Ta), 61W (Tc) | 25W (Tc) | 3.6W (Ta), 114W (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 50mOhm @ 3.5A, 10V | 7mOhm @ 11A, 10V | 450mOhm @ 4.5A, 10V | 5.6mOhm @ 50A, 10V |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | - | Automotive, AEC-Q101 | MDmesh™ M2 | HEXFET® |
RRL035P03TR - Rohm SemiconductorのRRL035P03TR PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
NVMFS5C670NT1GonsemiMOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFNSTF12N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 9A TO220FPIRFH5106TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN
PH4030DLAXNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 30V LFPAK
APT1001RBNMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD
SI9410BDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO
STP21NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 17A TO220ABIRF6612TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
RRL025P03/TRLAPIS TechnologyIRFB23N15DPBFInternational RectifierIRFB23N15 - SMPS HEXFET POWER MO
IRF7470TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 10A 8SO
FDB6676Fairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETRRL025P03TRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6IPS65R1K4C6Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3RRL035P03LAPIS Technology
NTD25P03LT4GonsemiMOSFET P-CH 30V 25A DPAK
CSD16323Q3Texas InstrumentsMOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
IRLR014Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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