QH8MA2TCRの技術仕様
Rohm Semiconductor - QH8MA2TCR技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - QH8MA2TCR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSMT8 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 4.5A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 1.25W | |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 365pF @ 10V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.4nC @ 10V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.5A, 3A | |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | |
| 基本製品番号 | QH8MA2 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor QH8MA2TCRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | QH8MA2TCR | QH8MA3TCR | IRF7501TRPBF | FDS8949 |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Infineon Technologies | onsemi |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| FET特長 | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSMT8 | TSMT8 | Micro8™ | 8-SOIC |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 365pF @ 10V | 300pF @ 15V | 260pF @ 15V | 955pF @ 20V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 700mV @ 250µA | 3V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.4nC @ 10V | 7.2nC @ 10V | 8nC @ 4.5V | 11nC @ 5V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | - | - | HEXFET® | PowerTrench® |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.5A, 3A | 7A, 5.5A | 2.4A | 6A |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電力 - 最大 | 1.25W | 1.5W | 1.25W | 2W |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 基本製品番号 | QH8MA2 | QH8MA3 | IRF7501 | FDS89 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 4.5A, 10V | 29mOhm @ 7A, 10V | 135mOhm @ 1.7A, 4.5V | 29mOhm @ 6A, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 30V | 20V | 40V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
QH8MA2TCR - Rohm SemiconductorのQH8MA2TCR PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
QH8MA3TCRRohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V TSMT8IRF7501TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8
QH81257TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
QH8MC5TCR-ELAPIS TechnologyQH8MA4 TCRLAPIS TechnologyFDS8949onsemiMOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
SI4944DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC
UP0487800LPanasonic Electronic ComponentsMOSFET 2N-CH 50V .1A SS-MINI-6PQH8KA1 TCRLAPIS TechnologyQH8MA2LAPIS TechnologyQH8MA2 TCRLAPIS TechnologyQH8MA3 TCRLAPIS Technology
QH8-8911STMicroelectronics
PMDPB70EN,115Nexperia USA Inc.MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFNSI4814BDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
NTMD6N03R2GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
DMN5L06VA-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
DMN3055LFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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