SI4944DY-T1-E3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI4944DY-T1-E3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI4944DY-T1-E3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9.5mOhm @ 12.2A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 1.3W | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 21nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.3A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | SI4944 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI4944DY-T1-E3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI4944DY-T1-E3 | SI4946CDY-T1-GE3 | SI4943CDY-T1-E3 | SI4943CDY-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 60V | 20V | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.3A | 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) | 8A | 8A |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | SI4944 | SI4946 | SI4943 | SI4943 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 21nC @ 4.5V | 10nC @ 10V | 62nC @ 10V | 62nC @ 10V |
| 電力 - 最大 | 1.3W | 2W (Ta), 2.8W (Tc) | 3.1W | 3.1W |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | 350pF @ 30V | 1945pF @ 10V | 1945pF @ 10V |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SO | 8-SOIC | 8-SOIC |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9.5mOhm @ 12.2A, 10V | 40.9mOhm @ 5.2A, 10V | 19.2mOhm @ 8.3A, 10V | 19.2mOhm @ 8.3A, 10V |
| FET特長 | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
SI4944DY-T1-E3 - Vishay SiliconixのSI4944DY-T1-E3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI4946CDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
SI4943CDY-T1-E3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI4946BEYElectro-Films (EFI) / VishaySI4943CDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOICSI4943DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay
SI4946BDYSISI4943CDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
SI4946-GMSilicon PowerSI4943CDY-T1-GE3-SElectro-Films (EFI) / VishaySI4946BEY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOICSI4946BEY-TI-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4946Electro-Films (EFI) / VishaySI4943CDY-T1-E3-SElectro-Films (EFI) / VishaySI4943DY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySi4946DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4946BEY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOICSI4943CDYElectro-Films (EFI) / VishaySI4943BDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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