SI4814BDY-T1-E3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI4814BDY-T1-E3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI4814BDY-T1-E3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | LITTLE FOOT® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 18mOhm @ 10A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 3.3W, 3.5W | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A, 10.5A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| 基本製品番号 | SI4814 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI4814BDY-T1-E3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI4814BDY-T1-E3 | SI4816BDY-T1-GE3 | SI4816BDY-T1-E3 | SI4812DY-T1-E3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10nC @ 4.5V | 10nC @ 5V | 10nC @ 5V | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A, 10.5A | 5.8A, 8.2A | 5.8A, 8.2A | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Half Bridge) | - |
| シリーズ | LITTLE FOOT® | LITTLE FOOT® | LITTLE FOOT® | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | - |
| 基本製品番号 | SI4814 | SI4816 | SI4816 | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 30V | 30V | - |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - |
| 電力 - 最大 | 3.3W, 3.5W | 1W, 1.25W | 1W, 1.25W | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 18mOhm @ 10A, 10V | 18.5mOhm @ 6.8A, 10V | 18.5mOhm @ 6.8A, 10V | - |
SI4814BDY-T1-E3 - Vishay SiliconixのSI4814BDY-T1-E3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI4812DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4816BDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
SI4814DYSISI4812DY-T1-E3.VISSI4812DYSISI4812DY-TI-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4814DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4812BDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOSI4812DY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI4816BDYSISI4816BDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOICSI4816BDY-T1-E3.VISSI4814DY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI4816BDY-T1-E3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI4812BDY-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI4816BElectro-Films (EFI) / VishaySI4812BDY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI4812BDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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