画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
VWM200-01P - IXYS
- メーカー 部品型番
- VWM200-01P
- メーカー
- IXYS Corporation
- Allelco 部品型番
- 32D-VWM200-01P
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
- 詳細な説明
- パッケージ
- V2-PAK
- データシート
- VWM200-01P.pdf
- 在庫あり: 3850
VWM200-01Pの技術仕様
IXYS - VWM200-01P技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - VWM200-01P仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 2mA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | V2-PAK | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.2mOhm @ 100A, 10V | |
| 電力 - 最大 | - | |
| パッケージ/ケース | V2-PAK | |
| パッケージ | Box |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 430nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 210A | |
| コンフィギュレーション | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | |
| 基本製品番号 | VWM200 |
右側の三つのパーツはIXYS VWM200-01Pと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | VWM200-01P | FDMS3669S | FDPC8011S | AO6602L |
| メーカー | IXYS | onsemi | onsemi | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 2mA | 2.7V @ 250µA | 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA | 3V @ 250µA |
| 基本製品番号 | VWM200 | FDMS3669 | FDPC8 | AO660 |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ | Box | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | 1605pF @ 15V | 1240pF @ 13V, 4335pF @ 13V | 240pF @ 15V |
| パッケージ/ケース | V2-PAK | 8-PowerTDFN | 8-PowerWDFN | SC-74, SOT-457 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 430nC @ 10V | 24nC @ 10V | 19nC @ 10V, 64nC @ 10V | 8.5nC @ 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100V | 30V | 25V | 30V |
| サプライヤデバイスパッケージ | V2-PAK | Power56 | Powerclip-33 | 6-TSOP |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 210A | 13A, 18A | 13A (Ta), 20A (Tc), 27A (Ta), 60A (Tc) | - |
| FET特長 | - | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電力 - 最大 | - | 1W | 800mW (Ta), 900mW (Ta) | 1.15W |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.2mOhm @ 100A, 10V | 10mOhm @ 13A, 10V | 6mOhm @ 13A, 10V, 1.8mOhm @ 27A, 10V | 75mOhm @ 3.1A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| コンフィギュレーション | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | N and P-Channel Complementary |
| シリーズ | - | PowerTrench® | PowerTrench® | - |
VWM200-01P - IXYSのVWM200-01P PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
FDMS3669SonsemiMOSFET 2N-CH 30V 13A/18A POWER56FDPC8011SonsemiMOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFNAO6602LAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
IRF9952TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
FDW2501NZonsemiMOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP
SH8M3TB1Rohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
NTHD4102PT1GonsemiMOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
DMN63D1LV-7Diodes IncorporatedMOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563
MAX8659ETL+Analog Devices Inc./Maxim IntegratedMASTER-SLAVE CPU CORE REGULATOR
SI9933BDYFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDG6318PonsemiMOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
SI1926DL-T1-BE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
VWM270-0075X2IXYSMOSFET 6N-CH 75V 270A V2-PAK
HUFA76407DK8TonsemiMOSFET 2N-CH 60V 8-SOICFDS6912AonsemiMOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOICFDG8850NZonsemiMOSFET 2N-CH 30V 750MA SC88
2SK2596BXTL-ERenesas Electronics America IncULTRA HIGH FREQ BAND, N-CHANNEL
IRF7509TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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