IRF7509TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF7509TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF7509TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | Micro8™ | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 110mOhm @ 1.7A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 1.25W | |
| パッケージ/ケース | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 210pF @ 25V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12nC @ 10V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.7A, 2A | |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | |
| 基本製品番号 | IRF7509 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF7509TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF7509TRPBF | IRF7506TRPBF | IRF7509TR | IRF7507TRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 700mV @ 250µA |
| 基本製品番号 | IRF7509 | IRF7506 | IRF7509 | IRF7507 |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | 2 P-Channel (Dual) | N and P-Channel | N and P-Channel |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.7A, 2A | 1.7A | 2.7A, 2A | 2.4A, 1.7A |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 110mOhm @ 1.7A, 10V | 270mOhm @ 1.2A, 10V | 110mOhm @ 1.4A, 10V | 140mOhm @ 1.7A, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 1.25W | 1.25W | 1.25W | 1.25W |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| サプライヤデバイスパッケージ | Micro8™ | Micro8™ | Micro8™ | Micro8™ |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 30V | 30V | 20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 210pF @ 25V | 180pF @ 25V | 210pF @ 25V | 260pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12nC @ 10V | 11nC @ 10V | 12nC @ 10V | 8nC @ 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
IRF7509TRPBF - Infineon TechnologiesのIRF7509TRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF7507 MOSIR
IRF750AFairchild (onsemi)IRF7506TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8IRF7521D1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8IRF7509TRInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8IRF7507TRPBF MOSIRIRF7507IRIRF7521IRIRF7506GTRPBFIRIRF7521D1TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8IRF7521D1TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8IRF7521D1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8IRF7504TRPBF MOSIRIRF7523D1TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8IRF7504TRPBF MSOP8IRIRF7507TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8IRF7509TRPBF MOSIRIRF7506TRInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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