IRF9952TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF9952TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF9952TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 100mOhm @ 2.2A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 2W | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 190pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14nC @ 10V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.5A, 2.3A | |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | |
| 基本製品番号 | IRF995 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF9952TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF9952TRPBF | IRF9953 | IRF9953TRPBF | IRF9952 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.5A, 2.3A | 2.3A | 2.3A | 3.5A, 2.3A |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 電力 - 最大 | 2W | 2W | 2W | 2W |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 100mOhm @ 2.2A, 10V | 250mOhm @ 1A, 10V | 250mOhm @ 1A, 10V | 100mOhm @ 2.2A, 10V |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 190pF @ 15V | 190pF @ 15V | 190pF @ 15V | 190pF @ 15V |
| 基本製品番号 | IRF995 | IRF995 | IRF995 | IRF995 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 30V | 30V | 30V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | N and P-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14nC @ 10V | 12nC @ 10V | 12nC @ 10V | 14nC @ 10V |
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IRF9910PBF MOSIRIRF9953Infineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOICIRF9953TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SOIRF9952Infineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 8-SOICIRF9952Q MOSIRIRF9953PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOICIRF9952TRPBF MOSIRIRF9956TRInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOICIRF9952PBF MOSIRIRF9910TRPBF.IRIRF9910TRPBF MOSIRIRF9952TRInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 8-SOICIRF9953TRInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOICIRF9910PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOICIRF9956PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOICIRF9956Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOICIRF9910TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOICIRF9952PBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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