IXTP86N20Tの技術仕様
IXYS - IXTP86N20T技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXTP86N20T仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | Trench | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 29mOhm @ 500mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 480W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4500 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 90 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 86A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXTP86 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはIXYS IXTP86N20Tと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXTP86N20T | IXTQ102N20T | IXTP8N50P | IXTP70N085T |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA | 4.5V @ 1mA | 5.5V @ 100µA | 4V @ 50µA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±30V | - | ±30V | ±20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | 200 V | 500 V | 85 V |
| シリーズ | Trench | Trench | PolarHV™ | TrenchMV™ |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 基本製品番号 | IXTP86 | IXTQ102 | IXTP8 | IXTP70 |
| 電力消費（最大） | 480W (Tc) | 750W (Tc) | 150W (Tc) | 176W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | - | 10V | 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-3P | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4500 pF @ 25 V | 6800 pF @ 25 V | 1050 pF @ 25 V | 2570 pF @ 25 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 29mOhm @ 500mA, 10V | 23mOhm @ 500mA, 10V | 800mOhm @ 4A, 10V | 13.5mOhm @ 25A, 10V |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 90 nC @ 10 V | 114 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V | 59 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 86A (Tc) | 102A (Tc) | 8A (Tc) | 70A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
IXTP86N20T - IXYSのIXTP86N20T PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXTP8P15TIXYS / LittelfuseIXTQ102N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 102A TO3PIXTP75N10P MOSIXYS / LittelfuseIXTP8N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 8A TO220ABIXTP70N085TIXYSMOSFET N-CH 85V 70A TO220ABIXTP75N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 75A TO220ABIXTP80N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 80A TO220ABIXTP76P10TIXYSMOSFET P-CH 100V 76A TO220ABIXTQ110N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 110A TO3PIXTQ102N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 102A TO3PIXTP60N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 60A TO220ABIXTQ100N25PIXYSMOSFET N-CH 250V 100A TO3PIXTQ110N055PIXYSMOSFET N-CH 55V 110A TO3PIXTP76N075TIXYSMOSFET N-CH 75V 76A TO220ABIXTP88N085TIXYSMOSFET N-CH 85V 88A TO220ABIXTP64N055TIXYSMOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
IXTP80N12T2IXYSMOSFET N-CH 120V 80A TO220ABIXTP90N055TIXYSMOSFET N-CH 55V 90A TO220AB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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