IXTQ110N10Pの技術仕様
IXYS - IXTQ110N10P技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXTQ110N10P仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P | |
| シリーズ | Polar | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15mOhm @ 500mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 480W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3550 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 110A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXTQ110 |
右側の三つのパーツはIXYS IXTQ110N10Pと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXTQ110N10P | IXTQ130N15T | IXTQ130N10T | IXTP80N12T2 |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15mOhm @ 500mA, 10V | 12mOhm @ 65A, 10V | 9.1mOhm @ 25A, 10V | 17mOhm @ 40A, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V | 113 nC @ 10 V | 104 nC @ 10 V | 80 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 110A (Tc) | 130A (Tc) | 130A (Tc) | 80A (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 150 V | 100 V | 120 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P | TO-3P | TO-3P | TO-220 |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-220-3 |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| シリーズ | Polar | Trench | Trench | TrenchT2™ |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3550 pF @ 25 V | 9800 pF @ 25 V | 5080 pF @ 25 V | 4740 pF @ 25 V |
| 電力消費（最大） | 480W (Tc) | 750W (Tc) | 360W (Tc) | 325W (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 4.5V @ 1mA | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 100µA |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±20V | ±20V |
| 基本製品番号 | IXTQ110 | IXTQ130 | IXTQ130 | IXTP80 |
IXTQ110N10P - IXYSのIXTQ110N10P PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXTQ130N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 130A TO3PIXTQ130N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 130A TO3PIXTP80N12T2IXYSMOSFET N-CH 120V 80A TO220ABIXTQ110N055PIXYSMOSFET N-CH 55V 110A TO3PIXTQ16N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 16A TO3PIXTQ150N06PIXYSMOSFET N-CH 60V 150A TO3P
IXTP88N085TIXYSMOSFET N-CH 85V 88A TO220ABIXTQ120N20PIXYSMOSFET N-CH 200V 120A TO3PIXTQ100N25PIXYSMOSFET N-CH 250V 100A TO3PIXTQ170N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 170A TO3PIXTQ160N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 160A TO3PIXTP8N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 8A TO220ABIXTQ14N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 14A TO3PIXTP90N055TIXYSMOSFET N-CH 55V 90A TO220ABIXTQ150N15PIXYSMOSFET N-CH 150V 150A TO3PIXTP86N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 86A TO220ABIXTQ102N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 102A TO3PIXTQ102N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 102A TO3P| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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