画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
IXTP70N085T - IXYS
- メーカー 部品型番
- IXTP70N085T
- メーカー
- IXYS Corporation
- Allelco 部品型番
- 32D-IXTP70N085T
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 85V 70A TO220AB
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-220-3
- データシート
- IXT(A,P)70N085T.pdf
- 在庫あり: 5470
IXTP70N085Tの技術仕様
IXYS - IXTP70N085T技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXTP70N085T仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 50µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | TrenchMV™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 13.5mOhm @ 25A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 176W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2570 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 59 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 85 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 70A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXTP70 |
右側の三つのパーツはIXYS IXTP70N085Tと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXTP70N085T | IXTP60N10T | IXTP4N65X2 | IXTP60N20T |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 59 nC @ 10 V | 49 nC @ 10 V | 8.3 nC @ 10 V | 73 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 13.5mOhm @ 25A, 10V | 18mOhm @ 25A, 10V | 850mOhm @ 2A, 10V | 40mOhm @ 30A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2570 pF @ 25 V | 2650 pF @ 25 V | 455 pF @ 25 V | 4530 pF @ 25 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 176W (Tc) | 176W (Tc) | 80W (Tc) | 500W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±30V | ±20V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 50µA | 4.5V @ 50µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220 | TO-220-3 |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | TrenchMV™ | Trench | Ultra X2 | Trench |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 70A (Tc) | 60A (Tc) | 4A (Tc) | 60A (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 85 V | 100 V | 650 V | 200 V |
| 基本製品番号 | IXTP70 | IXTP60 | IXTP4 | IXTP60 |
IXTP70N085T - IXYSのIXTP70N085T PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXTP60N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 60A TO220ABIXTP4N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 4A TO220IXTP60N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 60A TO220ABIXTP75N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 75A TO220ABIXTP4N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 4A TO220ABIXTP50N25TIXYSMOSFET N-CH 250V 50A TO220ABIXTP50N20PIXYSMOSFET N-CH 200V 50A TO220AB
IXTP80N12T2IXYSMOSFET N-CH 120V 80A TO220ABIXTP56N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 56A TO220ABIXTP88N085TIXYSMOSFET N-CH 85V 88A TO220ABIXTP80N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 80A TO220ABIXTP86N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 86A TO220ABIXTP8N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 8A TO220ABIXTP52P10PIXYSMOSFET P-CH 100V 52A TO220ABIXTP76P10TIXYSMOSFET P-CH 100V 76A TO220ABIXTP76N075TIXYSMOSFET N-CH 75V 76A TO220AB
IXTP60N10T MOSIXYS / LittelfuseIXTP64N055TIXYSMOSFET N-CH 55V 64A TO220AB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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