IXTH04N300P3HVの技術仕様
IXYS - IXTH04N300P3HV技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXTH04N300P3HV仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247HV | |
| シリーズ | Polar P3™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 190Ohm @ 200mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 104W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 Variant | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 283 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 3000 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 400mA (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXTH04 |
右側の三つのパーツはIXYS IXTH04N300P3HVと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXTH04N300P3HV | IXTH102N20T | IXTB62N50L | IXTA86N20T |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 電力消費（最大） | 104W (Tc) | 750W (Tc) | 800W (Tc) | 480W (Tc) |
| 基本製品番号 | IXTH04 | IXTH102 | IXTB62 | IXTA86 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 400mA (Tc) | 102A (Tc) | 62A (Tc) | 86A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±30V | ±30V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247HV | TO-247 (IXTH) | PLUS264™ | TO-263AA |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4.5V @ 1mA | 5.5V @ 250µA | 5V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 13 nC @ 10 V | 114 nC @ 10 V | 550 nC @ 20 V | 90 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 20V | 10V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| シリーズ | Polar P3™ | Trench | Linear | Trench |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 283 pF @ 25 V | 6800 pF @ 25 V | 11500 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 Variant | TO-247-3 | TO-264-3, TO-264AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 3000 V | 200 V | 500 V | 200 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 190Ohm @ 200mA, 10V | 23mOhm @ 500mA, 10V | 100mOhm @ 31A, 20V | 29mOhm @ 500mA, 10V |
IXTH04N300P3HV - IXYSのIXTH04N300P3HV PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXTH102N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 102A TO247IXTB62N50LIXYSMOSFET N-CH 500V 62A PLUS264IXTA86N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 86A TO263IXTB30N100LIXYSMOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
IXTC75N10IXYSMOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220IXTH10P60IXYSMOSFET P-CH 600V 10A TO247IXTA96P085TIXYSMOSFET P-CH 85V 96A TO263IXTH10N100D2IXYSMOSFET N-CH 1000V 10A TO247IXTH10P50PIXYSMOSFET P-CH 500V 10A TO247IXTC13N50IXYSMOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220IXTH100N25PIXYS / LittelfuseIXTF200N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 90A I4PACIXTH102N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 102A TO247IXTE250N10IXYSMOSFET N-CH 100V 250A SOT227BIXTH110N10L2IXYSMOSFET N-CH 100V 110A TO247IXTH110N25TIXYSMOSFET N-CH 250V 110A TO247IXTH11P50IXYSMOSFET P-CH 500V 11A TO247IXTA80N12IXYS / Littelfuse| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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