IXTB62N50Lの技術仕様
IXYS - IXTB62N50L技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXTB62N50L仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PLUS264™ | |
| シリーズ | Linear | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 100mOhm @ 31A, 20V | |
| 電力消費（最大） | 800W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 11500 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 550 nC @ 20 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 20V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 62A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXTB62 |
右側の三つのパーツはIXYS IXTB62N50Lと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXTB62N50L | IXTA80N10T | IXTA86N20T | IXTH04N300P3HV |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 100 V | 200 V | 3000 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-247-3 Variant |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 100mOhm @ 31A, 20V | 14mOhm @ 25A, 10V | 29mOhm @ 500mA, 10V | 190Ohm @ 200mA, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 11500 pF @ 25 V | 3040 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V | 283 pF @ 25 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 20V | 10V | 10V | 10V |
| 電力消費（最大） | 800W (Tc) | 230W (Tc) | 480W (Tc) | 104W (Tc) |
| シリーズ | Linear | Trench | Trench | Polar P3™ |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 62A (Tc) | 80A (Tc) | 86A (Tc) | 400mA (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±30V | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PLUS264™ | TO-263AA | TO-263AA | TO-247HV |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 550 nC @ 20 V | 60 nC @ 10 V | 90 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.5V @ 250µA | 5V @ 100µA | 5V @ 1mA | 4V @ 250µA |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | IXTB62 | IXTA80 | IXTA86 | IXTH04 |
IXTB62N50L - IXYSのIXTB62N50L PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXTA80N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 80A TO263IXTA86N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 86A TO263IXTH04N300P3HVIXYSMOSFET N-CH 3000V 400MA TO247HVIXTH102N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 102A TO247IXTH102N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 102A TO247
IXTA7N80IXYS / LittelfuseIXTA96P085TIXYSMOSFET P-CH 85V 96A TO263IXTA76N075IXYS / Littelfuse
IXTC75N10IXYSMOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220IXTE250N10IXYSMOSFET N-CH 100V 250A SOT227BIXTA76N25TTRLIXYS / LittelfuseIXTA76N25TIXYSMOSFET N-CH 250V 76A TO263IXTA80N12IXYS / LittelfuseIXTF200N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 90A I4PACIXTB30N100LIXYSMOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264IXTC13N50IXYSMOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220IXTA76N075TIXYSMOSFET N-CH 75V 76A TO263IXTH10N100D2IXYSMOSFET N-CH 1000V 10A TO247| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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