IXTF200N10Tの技術仕様
IXYS - IXTF200N10T技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXTF200N10T仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOPLUS i4-PAC™ | |
| シリーズ | Trench | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7mOhm @ 50A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 156W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | i4-Pac™-5 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9400 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 152 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 90A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXTF200 |
右側の三つのパーツはIXYS IXTF200N10Tと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXTF200N10T | IXTC13N50 | IXTA96P085T | IXTC75N10 |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9400 pF @ 25 V | 2800 pF @ 25 V | 13100 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V |
| パッケージ/ケース | i4-Pac™-5 | ISOPLUS220™ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | ISOPLUS220™ |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±15V | ±20V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | 4V @ 2.5mA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 電力消費（最大） | 156W (Tc) | 140W (Tc) | 298W (Tc) | 230W (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7mOhm @ 50A, 10V | 400mOhm @ 6.5A, 10V | 13mOhm @ 48A, 10V | 20mOhm @ 37.5A, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 500 V | 85 V | 100 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOPLUS i4-PAC™ | ISOPLUS220™ | TO-263AA | ISOPLUS220™ |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 152 nC @ 10 V | 120 nC @ 10 V | 180 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | Trench | - | TrenchP™ | MegaMOS™ |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 90A (Tc) | 12A (Tc) | 96A (Tc) | 72A (Tc) |
| 基本製品番号 | IXTF200 | IXTC13 | IXTA96 | IXTC75 |
IXTF200N10T - IXYSのIXTF200N10T PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXTC13N50IXYSMOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
IXTA80N12IXYS / LittelfuseIXTA96P085TIXYSMOSFET P-CH 85V 96A TO263IXTC75N10IXYSMOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220
IXTH110N25TIXYSMOSFET N-CH 250V 110A TO247IXTH10P60IXYSMOSFET P-CH 600V 10A TO247IXTA86N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 86A TO263IXTH04N300P3HVIXYSMOSFET N-CH 3000V 400MA TO247HVIXTA80N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 80A TO263IXTH100N25PIXYS / LittelfuseIXTH102N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 102A TO247IXTB30N100LIXYSMOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264IXTH110N10L2IXYSMOSFET N-CH 100V 110A TO247IXTE250N10IXYSMOSFET N-CH 100V 250A SOT227BIXTH10N100D2IXYSMOSFET N-CH 1000V 10A TO247IXTH10P50PIXYSMOSFET P-CH 500V 10A TO247IXTH102N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 102A TO247IXTB62N50LIXYSMOSFET N-CH 500V 62A PLUS264| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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