IXFT26N50Qの技術仕様
IXYS - IXFT26N50Q技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFT26N50Q仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 4mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-268AA | |
| シリーズ | HiPerFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 200mOhm @ 13A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3900 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 95 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 26A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFT26 |
右側の三つのパーツはIXYS IXFT26N50Qと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFT26N50Q | IXFT32N50 | IXFT12N100Q | IXFR90N30 |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-268AA | TO-268AA | TO-268AA | ISOPLUS247™ |
| パッケージ/ケース | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-247-3 |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| シリーズ | HiPerFET™ | HiPerFET™ | HiPerFET™ | HiPerFET™ |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 95 nC @ 10 V | 300 nC @ 10 V | 90 nC @ 10 V | 360 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3900 pF @ 25 V | 5700 pF @ 25 V | 2900 pF @ 25 V | 10000 pF @ 25 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | IXFT26 | IXFT32 | IXFT12 | IXFR90 |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | 360W (Tc) | 300W (Tc) | 417W (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 500 V | 1000 V | 300 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 200mOhm @ 13A, 10V | 150mOhm @ 15A, 10V | 1.05Ohm @ 6A, 10V | 33mOhm @ 45A, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 4mA | 4V @ 4mA | 5.5V @ 4mA | 4.5V @ 4mA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 26A (Tc) | 32A (Tc) | 12A (Tc) | 75A (Tc) |
IXFT26N50Q - IXYSのIXFT26N50Q PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFT32N50IXYSMOSFET N-CH 500V 32A TO268IXFT12N100QIXYSMOSFET N-CH 1000V 12A TO268IXFR90N30IXYSMOSFET N-CH 300V 75A ISOPLUS247IXFT30N50IXYSMOSFET N-CH 500V 30A TO268IXFR55N50IXYSMOSFET N-CH 500V 48A ISOPLUS247IXFR4N100QIXYSMOSFET N-CH 1000V 3.5A ISOPLS247IXFT140N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 140A TO268IXFT58N20QIXYSMOSFET N-CH 200V 58A TO268IXFR66N50Q2IXYSMOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247IXFT44N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 44A TO268IXFR50N50IXYSMOSFET N-CH 500V 43A ISOPLUS247
IXFT50N60P3-TRLIXYSMOSFET N-CH 600V 50A TO268IXFT94N30P3IXYSMOSFET N-CH 300V 94A TO268IXFT52N30QIXYSMOSFET N-CH 300V 52A TO268IXFT60N50P3IXYSMOSFET N-CH 500V 60A TO268IXFT32N50QIXYSMOSFET N-CH 500V 32A TO268IXFR70N15IXYSMOSFET N-CH 150V 67A ISOPLUS247IXFT88N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 88A TO268| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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