IXFT12N100Qの技術仕様
IXYS - IXFT12N100Q技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFT12N100Q仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.5V @ 4mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-268AA | |
| シリーズ | HiPerFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.05Ohm @ 6A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2900 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 90 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFT12 |
右側の三つのパーツはIXYS IXFT12N100Qと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFT12N100Q | IXFT32N50Q | IXFT50N60P3-TRL | IXFT26N50Q |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±30V | ±20V |
| シリーズ | HiPerFET™ | HiPerFET™ | HiPerFET™, Polar3™ | HiPerFET™ |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.5V @ 4mA | 4.5V @ 4mA | 5V @ 4mA | 4.5V @ 4mA |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-268AA | TO-268AA | TO-268 | TO-268AA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) | 32A (Tc) | 50A (Tc) | 26A (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | 360W (Tc) | 1.04kW (Tc) | 300W (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 90 nC @ 10 V | 190 nC @ 10 V | 94 nC @ 10 V | 95 nC @ 10 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | 500 V | 600 V | 500 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 基本製品番号 | IXFT12 | IXFT32 | IXFT50 | IXFT26 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.05Ohm @ 6A, 10V | 160mOhm @ 16A, 10V | 145mOhm @ 25A, 10V | 200mOhm @ 13A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2900 pF @ 25 V | 4925 pF @ 25 V | 6300 pF @ 25 V | 3900 pF @ 25 V |
IXFT12N100Q - IXYSのIXFT12N100Q PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFT32N50QIXYSMOSFET N-CH 500V 32A TO268IXFT50N60P3-TRLIXYSMOSFET N-CH 600V 50A TO268IXFT26N50QIXYSMOSFET N-CH 500V 26A TO268
IXFR4N100QIXYSMOSFET N-CH 1000V 3.5A ISOPLS247IXFR66N50Q2IXYSMOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247IXFR70N15IXYSMOSFET N-CH 150V 67A ISOPLUS247IXFR44N80PIXYSMOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247IXFT30N50IXYSMOSFET N-CH 500V 30A TO268
IXFR44N60IXYS CorporationMOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247IXFR90N30IXYSMOSFET N-CH 300V 75A ISOPLUS247IXFT52N30QIXYSMOSFET N-CH 300V 52A TO268IXFT44N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 44A TO268IXFT32N50IXYSMOSFET N-CH 500V 32A TO268IXFR50N50IXYSMOSFET N-CH 500V 43A ISOPLUS247IXFR48N50QIXYSMOSFET N-CH 500V 40A ISOPLUS247IXFR55N50IXYSMOSFET N-CH 500V 48A ISOPLUS247IXFT140N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 140A TO268IXFR48N60IXYS / Littelfuse| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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