IXFT88N30Pの技術仕様
IXYS - IXFT88N30P技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFT88N30P仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 4mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-268AA | |
| シリーズ | HiPerFET™, Polar | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 40mOhm @ 44A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 600W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6300 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 180 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 300 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 88A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFT88 |
右側の三つのパーツはIXYS IXFT88N30Pと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFT88N30P | IXFX120N20 | IXFT26N50Q | IXFX120N25 |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-268AA | PLUS247™-3 | TO-268AA | PLUS247™-3 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-247-3 Variant | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-247-3 Variant |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 180 nC @ 10 V | 300 nC @ 10 V | 95 nC @ 10 V | 400 nC @ 10 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 88A (Tc) | 120A (Tc) | 26A (Tc) | 120A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 40mOhm @ 44A, 10V | 17mOhm @ 60A, 10V | 200mOhm @ 13A, 10V | 22mOhm @ 500mA, 10V |
| 基本製品番号 | IXFT88 | IXFX120 | IXFT26 | IXFX120 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| シリーズ | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™ | HiPerFET™ | HiPerFET™ |
| 電力消費（最大） | 600W (Tc) | 560W (Tc) | 300W (Tc) | 560W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 4mA | 4V @ 8mA | 4.5V @ 4mA | 4V @ 8mA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 300 V | 200 V | 500 V | 250 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6300 pF @ 25 V | 9100 pF @ 25 V | 3900 pF @ 25 V | 9400 pF @ 25 V |
IXFT88N30P - IXYSのIXFT88N30P PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFX120N20IXYSMOSFET N-CH 200V 120A PLUS247IXFT26N50QIXYSMOSFET N-CH 500V 26A TO268IXFX120N25IXYSMOSFET N-CH 250V 120A PLUS247-3
IXFV22N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 22A PLUS220IXFT32N50QIXYSMOSFET N-CH 500V 32A TO268IXFT94N30P3IXYSMOSFET N-CH 300V 94A TO268IXFT44N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 44A TO268IXFT60N50P3IXYSMOSFET N-CH 500V 60A TO268IXFX15N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 15A PLUS247-3IXFT50N60P3-TRLIXYSMOSFET N-CH 600V 50A TO268IXFX150N30P3IXYSMOSFET N-CH 300V 150A PLUS247-3IXFX150N15IXYSMOSFET N-CH 150V 150A PLUS247IXFX14N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247-3IXFT30N50IXYSMOSFET N-CH 500V 30A TO268IXFT52N30QIXYSMOSFET N-CH 300V 52A TO268IXFT32N50IXYSMOSFET N-CH 500V 32A TO268IXFX120N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3IXFT58N20QIXYSMOSFET N-CH 200V 58A TO268| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。