IXFP110N15T2の技術仕様
IXYS - IXFP110N15T2技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFP110N15T2仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | HiPerFET™, TrenchT2™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 13mOhm @ 55A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 480W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8600 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 110A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFP110 |
右側の三つのパーツはIXYS IXFP110N15T2と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFP110N15T2 | IXFN90N30 | IXFP10N60P | IXFP14N60P |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | SOT-227B | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 13mOhm @ 55A, 10V | 33mOhm @ 45A, 10V | 740mOhm @ 5A, 10V | 550mOhm @ 7A, 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole | Through Hole |
| 基本製品番号 | IXFP110 | IXFN90 | IXFP10 | IXFP14 |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | SOT-227-4, miniBLOC | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | 4V @ 8mA | 5.5V @ 1mA | 5.5V @ 2.5mA |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 110A (Tc) | 90A (Tc) | 10A (Tc) | 14A (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 電力消費（最大） | 480W (Tc) | 560W (Tc) | 200W (Tc) | 300W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±30V | ±30V |
| シリーズ | HiPerFET™, TrenchT2™ | HiPerFET™ | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™, Polar |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 150 nC @ 10 V | 360 nC @ 10 V | 32 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | 300 V | 600 V | 600 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8600 pF @ 25 V | 10000 pF @ 25 V | 1610 pF @ 25 V | 2500 pF @ 25 V |
IXFP110N15T2 - IXYSのIXFP110N15T2 PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFN90N30IXYSMOSFET N-CH 300V 90A SOT-227BIXFP10N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 10A TO220ABIXFN80N60IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFP14N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 14A TO220ABIXFP130N10T2IXYSMOSFET N-CH 100V 130A TO220ABIXFP16N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 16A TO220ABIXFN82N60Q3IXYSMOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
IXFP12N65X2MIXYSMOSFET N-CH 650V 12A TO220IXFP14N85XMIXYSMOSFET N-CHANNEL 850V 14A TO220IXFN80N60PIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFP130N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 130A TO220ABIXFP12N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 12A TO220ABIXFN90N85XIXYSMOSFET N-CH 850V 90A SOT227BIXFP14N60IXYS / LittelfuseIXFN82N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 72A SOT-227BIXFN80N60P3IXYSMOSFET N-CH 600V 66A SOT-227BIXFP12N50PMIXYSMOSFET N-CH 500V 6A TO220ABIXFP14N85XIXYSMOSFET N-CH 850V 14A TO220AB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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