IXFN80N60P3の技術仕様
IXYS - IXFN80N60P3技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFN80N60P3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 8mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | |
| シリーズ | HiPerFET™, Polar3™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 70mOhm @ 40A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 960W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 13100 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 190 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 66A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFN80 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | Not Applicable |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはIXYS IXFN80N60P3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFN80N60P3 | IXFN80N50Q3 | IXFN90N30 | IXFN80N50P |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | HiPerFET™, Polar3™ | HiPerFET™, Q3 Class | HiPerFET™ | HiPerFET™, Polar |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 8mA | 6.5V @ 8mA | 4V @ 8mA | 5V @ 8mA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 500 V | 300 V | 500 V |
| 電力消費（最大） | 960W (Tc) | 780W (Tc) | 560W (Tc) | 700W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±20V | ±30V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 66A (Tc) | 63A (Tc) | 90A (Tc) | 66A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 70mOhm @ 40A, 10V | 65mOhm @ 40A, 10V | 33mOhm @ 45A, 10V | 65mOhm @ 500mA, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 13100 pF @ 25 V | 10000 pF @ 25 V | 10000 pF @ 25 V | 12700 pF @ 25 V |
| 基本製品番号 | IXFN80 | IXFN80 | IXFN90 | IXFN80 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 190 nC @ 10 V | 200 nC @ 10 V | 360 nC @ 10 V | 195 nC @ 10 V |
IXFN80N60P3 - IXYSのIXFN80N60P3 PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFN9233IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN80N50Q3IXYSMOSFET N-CH 500V 63A SOT227BIXFN90N30IXYSMOSFET N-CH 300V 90A SOT-227BIXFN80N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 66A SOT227B
IXFP10N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 10A TO220ABIXFN80N48IXYSMOSFET N-CH 480V 80A SOT-227BIXFP12N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 12A TO220ABIXFN9234IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN80N50Q2IXYSMOSFET N-CH 500V 72A SOT227BIXFN82N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 72A SOT-227BIXFN90N85XIXYSMOSFET N-CH 850V 90A SOT227BIXFN82N60Q3IXYSMOSFET N-CH 600V 66A SOT227BIXFN80N50IXYSMOSFET N-CH 500V 80A SOT-227BIXFN80N60IXYS / LittelfuseIGBT Module
IXFN79N20Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT ModuleIXFP110N15T2IXYSMOSFET N-CH 150V 110A TO220ABIXFN80N60PIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN80N50QIXYS / LittelfuseIGBT Module| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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