画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
IXFN90N30 - IXYS
- メーカー 部品型番
- IXFN90N30
- メーカー
- IXYS Corporation
- Allelco 部品型番
- 32D-IXFN90N30
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
- 詳細な説明
- パッケージ
- SOT-227-4, miniBLOC
- データシート
- IXFN90N30.pdf
- 在庫あり: 4360
IXFN90N30の技術仕様
IXYS - IXFN90N30技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFN90N30仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 8mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | |
| シリーズ | HiPerFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 33mOhm @ 45A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 560W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10000 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 360 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 300 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 90A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFN90 |
右側の三つのパーツはIXYS IXFN90N30と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFN90N30 | IXFN80N50Q2 | IXFN80N60P3 | IXFP12N50PM |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Through Hole |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | TO-220-3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10000 pF @ 25 V | 12800 pF @ 25 V | 13100 pF @ 25 V | 1830 pF @ 25 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 8mA | 4.5V @ 8mA | 5V @ 8mA | 5.5V @ 1mA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 300 V | 500 V | 600 V | 500 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 360 nC @ 10 V | 250 nC @ 10 V | 190 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 90A (Tc) | 72A (Tc) | 66A (Tc) | 6A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±30V | ±30V |
| 電力消費（最大） | 560W (Tc) | 890W (Tc) | 960W (Tc) | 50W (Tc) |
| 基本製品番号 | IXFN90 | IXFN80 | IXFN80 | IXFP12 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 33mOhm @ 45A, 10V | 60mOhm @ 500mA, 10V | 70mOhm @ 40A, 10V | 500mOhm @ 6A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B | TO-220-3 |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| シリーズ | HiPerFET™ | HiPerFET™, Q2 Class | HiPerFET™, Polar3™ | HiPerFET™, Polar |
IXFN90N30 - IXYSのIXFN90N30 PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFN80N50QIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN80N50Q2IXYSMOSFET N-CH 500V 72A SOT227BIXFN80N60P3IXYSMOSFET N-CH 600V 66A SOT-227BIXFP12N50PMIXYSMOSFET N-CH 500V 6A TO220ABIXFN82N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 72A SOT-227BIXFP10N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 10A TO220ABIXFN80N60PIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN80N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 66A SOT227BIXFN82N60Q3IXYSMOSFET N-CH 600V 66A SOT227BIXFP110N15T2IXYSMOSFET N-CH 150V 110A TO220ABIXFN90N85XIXYSMOSFET N-CH 850V 90A SOT227BIXFN80N60IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFP130N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
IXFP12N65X2MIXYSMOSFET N-CH 650V 12A TO220IXFN80N50Q3IXYSMOSFET N-CH 500V 63A SOT227BIXFN80N50IXYSMOSFET N-CH 500V 80A SOT-227BIXFP130N10T2IXYSMOSFET N-CH 100V 130A TO220ABIXFP12N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 12A TO220AB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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