FDA217Sの技術仕様
IXYS Integrated Circuits Division - FDA217S技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS Integrated Circuits Division - FDA217S仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 電圧 - 出力供給 | - | |
| 電圧 - 絶縁 | 3750Vrms | |
| 電圧 - フォワード（Vf）（標準） | 1.26V | |
| 技術 | Optical Coupling | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SMD | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | - | |
| パルス幅歪み（最大） | - | |
| 伝播遅延tpLH / tpHL（最大） | 2ms, 0.5ms | |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Gull Wing |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -40°C ~ 85°C | |
| チャネル数 | 2 | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 電流 - ピーク出力 | - | |
| 電流 - 出力高、低 | - | |
| 電流 - DC順方向（If）（最大） | 5 mA | |
| コモンモード過渡耐性（最小） | - | |
| 基本製品番号 | FDA217 | |
| 承認機関 | EN, IEC, TUV |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.49.8000 |
右側の三つのパーツはIXYS Integrated Circuits Division FDA217Sと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDA217S | FDA217 | FDA20N50F | FDA24N50F |
| メーカー | IXYS Integrated Circuits Division | IXYS Integrated Circuits Division | onsemi | onsemi |
| 電圧 - 出力供給 | - | - | - | - |
| 電圧 - 絶縁 | 3750Vrms | 3750Vrms | - | - |
| 基本製品番号 | FDA217 | FDA21 | FDA20N50 | FDA24 |
| 電流 - DC順方向（If）（最大） | 5 mA | 5 mA | - | - |
| 電圧 - フォワード（Vf）（標準） | 1.26V | 1.26V | - | - |
| パッケージ/ケース | 8-SMD, Gull Wing | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 電流 - 出力高、低 | - | - | - | - |
| 伝播遅延tpLH / tpHL（最大） | 2ms, 0.5ms | 2ms, 0.5ms | - | - |
| シリーズ | - | - | FRFET®, UniFET™ | UniFET™ |
| 立上り/立下り時間（Typ） | - | - | - | - |
| チャネル数 | 2 | 2 | - | - |
| 電流 - ピーク出力 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -40°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技術 | Optical Coupling | Optical Coupling | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 承認機関 | EN, IEC, TUV | EN, IEC, TUV | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SMD | 8-DIP | TO-3PN | TO-3PN |
| コモンモード過渡耐性（最小） | - | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パルス幅歪み（最大） | - | - | - | - |
FDA217S - IXYS Integrated Circuits DivisionのFDA217S PDFデータテーブルとIXYS Integrated Circuits Divisionドキュメントをダウンロード
FDA20N50FonsemiMOSFET N-CH 500V 22A TO3PNFDA24N50FonsemiMOSFET N-CH 500V 24A TO3PN
FDA2100LVSTMicroelectronicsIC AMP CLASS D STER 120W 64TQFP
FDA20N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 22A TO3PNFDA24N50 MOSFairchild (onsemi)
FDA215HCLAREFDA28N50onsemiMOSFET N-CH 500V 28A TO3PNFDA217IXYS Integrated Circuits DivisionOPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8DIPFDA24N40FFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FDA2100LV-TSTMicroelectronicsIC AMP CLASS D STER 120W 64TQFPFDA20N50_F109Fairchild (onsemi)FDA33N25onsemiMOSFET N-CH 250V 33A TO3PNFDA24N40FonsemiMOSFET N-CH 400V 23A TO3PN
FDA2100BLVSTMicroelectronicsIC AMP CLASS D STER 120W 64TQFP
FDA28N50 MOSAMI Semiconductor/onsemiFDA20N50-F109onsemiMOSFET N-CH 500V 22A TO3PNFDA24N50onsemiMOSFET N-CH 500V 24A TO3PNFDA28N50FonsemiMOSFET N-CH 500V 28A TO3PN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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