FDA24N40Fの技術仕様
onsemi - FDA24N40F技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDA24N40F仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PN | |
| シリーズ | UniFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 190mOhm @ 11.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 235W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3030 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 400 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 23A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDA24 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | Not Applicable |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi FDA24N40Fと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDA24N40F | FDA33N25 | FDA28N50F | FDA20N50-F109 |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 60 nC @ 10 V | 46.8 nC @ 10 V | 105 nC @ 10 V | 59.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | FDA24 | FDA33 | FDA28 | FDA20N50 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | UniFET™ | UniFET™ | UniFET™ | UniFET™ |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PN | TO-3PN | TO-3PN | TO-3PN |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 400 V | 250 V | 500 V | 500 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 190mOhm @ 11.5A, 10V | 94mOhm @ 16.5A, 10V | 175mOhm @ 14A, 10V | 230mOhm @ 11A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 23A (Tc) | 33A (Tc) | 28A (Tc) | 22A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3030 pF @ 25 V | 2200 pF @ 25 V | 5387 pF @ 25 V | 3120 pF @ 25 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 電力消費（最大） | 235W (Tc) | 245W (Tc) | 310W (Tc) | 280W (Tc) |
FDA24N40F - onsemiのFDA24N40F PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDA20N50_F109Fairchild (onsemi)FDA33N25onsemiMOSFET N-CH 250V 33A TO3PNFDA28N50FonsemiMOSFET N-CH 500V 28A TO3PNFDA20N50-F109onsemiMOSFET N-CH 500V 22A TO3PNFDA24N50 MOSFairchild (onsemi)FDA24N50onsemiMOSFET N-CH 500V 24A TO3PN
FDA215HCLARE
FDA2100LV-TSTMicroelectronicsIC AMP CLASS D STER 120W 64TQFPFDA24N50FonsemiMOSFET N-CH 500V 24A TO3PNFDA28N50onsemiMOSFET N-CH 500V 28A TO3PNFDA2100LVSTMicroelectronicsIC AMP CLASS D STER 120W 64TQFPFDA28N50 MOSAMI Semiconductor/onsemiFDA38N30onsemiMOSFET N-CH 300V 38A TO3PNFDA20N50FonsemiMOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
FDA217IXYS Integrated Circuits DivisionOPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8DIP
FDA217SIXYS Integrated Circuits DivisionOPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD
FDA2100BLVSTMicroelectronicsIC AMP CLASS D STER 120W 64TQFPFDA24N40FFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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