FDA20N50の技術仕様
Fairchild Semiconductor - FDA20N50技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FDA20N50仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PN | |
| シリーズ | UniFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 230mOhm @ 11A, 10V | |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3120 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 59.5 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Tc) |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FDA20N50と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDA20N50 | FDA16N50 | FDA16N50LDTU | FDA20N50-F109 |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Tc) | 16.5A (Tc) | 16.5A (Tc) | 22A (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 59.5 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V | 59.5 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | UniFET™ | UniFET™ | - | UniFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 230mOhm @ 11A, 10V | 380mOhm @ 8.3A, 10V | 380mOhm @ 8.3A, 10V | 230mOhm @ 11A, 10V |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads) | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3120 pF @ 25 V | 1945 pF @ 25 V | 1945 pF @ 25 V | 3120 pF @ 25 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 500 V | 500 V | 500 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PN | TO-3PN | TO-3PN (L-Forming) | TO-3PN |
| FET特長 | - | - | - | - |
FDA16N50onsemiMOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PNFDA16N50LDTUFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, NFDA20N50-F109onsemiMOSFET N-CH 500V 22A TO3PNFDA16N50_F109Fairchild (onsemi)
FDA217SIXYS Integrated Circuits DivisionOPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD
FDA2100LV-TSTMicroelectronicsIC AMP CLASS D STER 120W 64TQFP
FDA20N50FonsemiMOSFET N-CH 500V 22A TO3PNFDA18N50onsemiMOSFET N-CH 500V 19A TO3PN
FDA217IXYS Integrated Circuits DivisionOPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8DIPFDA16N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PNFDA18N50Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDA18N50 MOSFairchild (onsemi)
FDA2100BLVSTMicroelectronicsIC AMP CLASS D STER 120W 64TQFPFDA24N40FonsemiMOSFET N-CH 400V 23A TO3PNFDA2100LVSTMicroelectronicsIC AMP CLASS D STER 120W 64TQFPFDA15N65Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 650V 16A TO3PNFDA16N50LDTUonsemiMOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PNFDA15N65onsemiMOSFET N-CH 650V 16A TO3PN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。