GKI03026の技術仕様
Sanken Electric USA Inc. - GKI03026技術仕様、属性、パラメーター、およびSanken Electric USA Inc. - GKI03026仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Sanken Electric USA Inc. | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-DFN (5x6) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.6mOhm @ 68A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.1W (Ta), 77W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4010 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 64 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Ta) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS準拠 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSanken Electric USA Inc. GKI03026と同様の仕様
| 製品属性 | |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | GKI03026 | GKI06259 | SI4850EY-T1 | GKI04048 |
| メーカー | Sanken Electric USA Inc. | Sanken Electric USA Inc. | Vishay Siliconix | Sanken Electric USA Inc. |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 60 V | 60 V | 40 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4010 pF @ 15 V | 1050 pF @ 25 V | - | 2410 pF @ 25 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.6mOhm @ 68A, 10V | 21mOhm @ 12.5A, 10V | 22mOhm @ 6A, 10V | 5mOhm @ 35.4A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3.1W (Ta), 77W (Tc) | 3.1W (Ta), 40W (Tc) | 1.7W (Ta) | 3.1W (Ta), 59W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2.5V @ 650µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-DFN (5x6) | 8-DFN (5x6) | 8-SOIC | 8-DFN (5x6) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-PowerTDFN |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Ta) | 6A (Ta) | 6A (Ta) | 14A (Ta) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 64 nC @ 10 V | 16 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V | 35.3 nC @ 10 V |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| シリーズ | - | - | TrenchFET® | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
GKI03026 - Sanken Electric USA Inc.のGKI03026 PDFデータテーブルとSanken Electric USA Inc.ドキュメントをダウンロード
GKI06259Sanken Electric USA Inc.MOSFET N-CH 60V 6A 8DFNSI4850EY-T1Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 6A 8SOGKI04048Sanken Electric USA Inc.MOSFET N-CH 40V 14A 8DFNGKI03039Sanken Electric USA Inc.MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN
IRFH7184TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 20A/128A PQFN
IPD60R3K3C6Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
AOK9N90Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 900V 9A TO247
IXFN27N80QIXYSMOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
STD60NH03LT4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 60A DPAKIRFR3504ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 195A TO220ABGKI03080Sanken Electric USA Inc.MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN
IRLI2910PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 31A TO220AB FPIXTY08N50D2IXYSMOSFET N-CH 500V 800MA TO252
IRFP260NPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
FDC636PonsemiMOSFET P-CH 20V 2.8A SUPERSOT6
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7FQD12P10TFonsemiMOSFET P-CH 100V 9.4A TO252| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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