画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FDC636P - onsemi
- メーカー 部品型番
- FDC636P
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FDC636P
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET P-CH 20V 2.8A SUPERSOT6
- 詳細な説明
- パッケージ
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- データシート
- FDC636P.pdf
- 在庫あり: 5470
FDC636Pの技術仕様
onsemi - FDC636P技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDC636P仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SuperSOT™-6 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 130mOhm @ 2.8A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 1.6W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 390 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.5 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.8A (Ta) | |
| 基本製品番号 | FDC636 |
右側の三つのパーツはonsemi FDC636Pと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDC636P | FDC634P | FDC637BNZ | FDC637AN |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 390 pF @ 10 V | 779 pF @ 10 V | 895 pF @ 10 V | 1125 pF @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 130mOhm @ 2.8A, 4.5V | 80mOhm @ 3.5A, 4.5V | 24mOhm @ 6.2A, 4.5V | 24mOhm @ 6.2A, 4.5V |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.8A (Ta) | 3.5A (Ta) | 6.2A (Ta) | 6.2A (Ta) |
| シリーズ | - | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 基本製品番号 | FDC636 | - | FDC637 | FDC637 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 1.6W (Ta) | 1.6W (Ta) | 1.6W (Ta) | 1.6W (Ta) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V |
| Vgs（最大） | ±8V | ±8V | ±12V | ±8V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.5 nC @ 4.5 V | 10 nC @ 4.5 V | 12 nC @ 4.5 V | 16 nC @ 4.5 V |
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FDC6333C_NLAMI Semiconductor/onsemiFDC637BNZ-NLFairchild (onsemi)FDC633N-NLFairchild (onsemi)FDC637AN MOSFairchild (onsemi)FDC633N MOSAMI Semiconductor/onsemiFDC634PFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDC636P-NLFairchild (onsemi)FDC636P MOSAMI Semiconductor/onsemiFDC637BNZonsemiMOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6FDC637ANonsemiMOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6FDC633NonsemiMOSFET N-CH 30V 5.2A SUPERSOT6FDC634P_NLFairchild (onsemi)FDC638APZonsemiMOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6FDC633NFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 5.2A SUPERSOT6FDC637AN-NLFairchild (onsemi)FDC634P-NLFairchild (onsemi)FDC638APZ MOSAMI Semiconductor/onsemiFDC634PonsemiMOSFET P-CH 20V 3.5A SUPERSOT6| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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