GKI03039の技術仕様
Sanken Electric USA Inc. - GKI03039技術仕様、属性、パラメーター、およびSanken Electric USA Inc. - GKI03039仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Sanken Electric USA Inc. | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 650µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-DFN (5x6) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.8mOhm @ 47.2A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.1W (Ta), 59W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2460 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 38.8 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18A (Ta) |
右側の三つのパーツはSanken Electric USA Inc. GKI03039と同様の仕様
| 製品属性 | |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | GKI03039 | IXFH40N50Q2 | HUF75925D3ST | GKI03080 |
| メーカー | Sanken Electric USA Inc. | IXYS | Fairchild Semiconductor | Sanken Electric USA Inc. |
| シリーズ | - | HiPerFET™ | UltraFET™ | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2460 pF @ 15 V | 4850 pF @ 25 V | 1030 pF @ 25 V | 1030 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 38.8 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 78 nC @ 20 V | 16.3 nC @ 10 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-DFN (5x6) | TO-247AD (IXFH) | TO-252, (D-Pak) | 8-DFN (5x6) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | TO-247-3 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 8-PowerTDFN |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 500 V | 200 V | 30 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| 電力消費（最大） | 3.1W (Ta), 59W (Tc) | 560W (Tc) | 100W (Tc) | 3.1W (Ta), 40W (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.8mOhm @ 47.2A, 10V | 160mOhm @ 500mA, 10V | 275mOhm @ 11A, 10V | 8.2mOhm @ 25A, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 650µA | 4.5V @ 4mA | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±20V | ±20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18A (Ta) | 40A (Tc) | 11A (Tc) | 12A (Ta) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
GKI03039 - Sanken Electric USA Inc.のGKI03039 PDFデータテーブルとSanken Electric USA Inc.ドキュメントをダウンロード
IXFH40N50Q2IXYSMOSFET N-CH 500V 40A TO247ADHUF75925D3STFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 11A TO252AAGKI03080Sanken Electric USA Inc.MOSFET N-CH 30V 12A 8DFNIXFH67N10IXYSMOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD
NVMS5P02R2GonsemiMOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
FQD4N25TM-WSonsemiMOSFET N-CH 250V 3A DPAK
APT47F60JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP
FDPF7N60NZonsemiMOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F
BUK9214-30A,118Nexperia USA Inc.MOSFET N-CH 30V 63A DPAK
IPP320N20N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
AO3162Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 600V 34MA SOT23GKI06259Sanken Electric USA Inc.MOSFET N-CH 60V 6A 8DFN
APTM20UM03FAGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 200V 580A SP6GKI04048Sanken Electric USA Inc.MOSFET N-CH 40V 14A 8DFNFCPF9N60NTFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
BSC050N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSONGKI03026Sanken Electric USA Inc.MOSFET N-CH 30V 22A 8DFN
SI7888DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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