A2T21H410-24SR6の技術仕様
NXP Semiconductors / Freescale - A2T21H410-24SR6技術仕様、属性、パラメーター、およびNXP Semiconductors / Freescale - A2T21H410-24SR6仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | NXP Semiconductors | |
| 電圧 - テスト | 28V | |
| 電圧 - 定格 | 65V | |
| トランジスタ型式 | LDMOS (Dual) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | NI-1230-4LS2L | |
| シリーズ | - | |
| 電力出力 | 72W | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| パッケージ/ケース | NI-1230-4LS2L |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 他の名前 | 935312756128 | |
| 雑音指数 | - | |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | |
| 利得 | 15.6dB | |
| 周波数 | 2.17GHz | |
| 詳細な説明 | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 600mA 2.17GHz 15.6dB 72W NI-1230-4LS2L | |
| 定格電流 | - | |
| 電流 - テスト | 600mA |
右側の三つのパーツはNXP Semiconductors / Freescale A2T21H410-24SR6と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | A2T21H410-24SR6 | A2T09D400-23NR6 | A2T18S165-12SR3 | A2T23H300-24SR6 |
| メーカー | NXP Semiconductors / Freescale | NXP USA Inc. | NXP Semiconductors / Freescale | NXP USA Inc. |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 利得 | 15.6dB | 17.8dB | 18dB | 14.9dB |
| パッケージ/ケース | NI-1230-4LS2L | OM-1230-4L2S | NI-780S-2L2L | NI-1230-4LS2L |
| サプライヤデバイスパッケージ | NI-1230-4LS2L | OM-1230-4L2S | NI-780S-2L2L | NI-1230-4LS2L |
| 他の名前 | 935312756128 | - | 935316365128 | - |
| 電力出力 | 72W | 400W | 148W | 66W |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
| 電流 - テスト | 600mA | 1.2 A | 800mA | 750 mA |
| 電圧 - 定格 | 65V | 70 V | 65V | 65 V |
| 雑音指数 | - | - | - | - |
| 周波数 | 2.17GHz | 716MHz ~ 960MHz | 1.805GHz ~ 1.995GHz | 2.3GHz |
| 定格電流 | - | - | 10µA | - |
| 電圧 - テスト | 28V | 28 V | 28V | 28 V |
| 詳細な説明 | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 600mA 2.17GHz 15.6dB 72W NI-1230-4LS2L | - | RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 1.805GHz ~ 1.995GHz 18dB 148W NI-780S-2L2L | - |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| トランジスタ型式 | LDMOS (Dual) | - | LDMOS | - |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | - | - | - |
A2T21H410-24SR6 - NXP Semiconductors / FreescaleのA2T21H410-24SR6 PDFデータテーブルとNXP Semiconductors / Freescaleドキュメントをダウンロード
A2T09D400-23NR6NXP USA Inc.AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOA2T18S165-12SR3NXP Semiconductors / FreescaleAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOA2T23H300-24SR6NXP USA Inc.IC TRANS RF LDMOSA2T18S260W12NR3NXP Semiconductors / FreescaleAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T26H160-24SR3Freescale SemiconductorRF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORA2T27S020GNR1NXP USA Inc.AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOA2T18H100-25SR3NXP USA Inc.FET RF 2CH 65V 1.81GHZ
MRF6V10010NR4NXP USA Inc.FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5A2T21H360-24SR6NXP USA Inc.AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOA2T18H410-24SR6NXP USA Inc.IC TRANS RF LDMOSA2T18S162W31GSR3NXP Semiconductors / FreescaleIC TRANS RF LDMOSA2T18S262W12NR3NXP Semiconductors / FreescaleAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOA2T07H310-24SR6NXP USA Inc.FET RF 2CH 70V 880MHZA2T21S260W12NR3NXP Semiconductors / FreescaleAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
SD2933STMicroelectronicsTRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M177A2T26H160-24SR3NXP SemiconductorsA2T26H160 - AIRFAST RF POWER LDMA2T20H330W24SR6NXP Semiconductors / FreescaleIC TRANS RF LDMOSPD20010-ESTMicroelectronicsTRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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