A2T18S165-12SR3の技術仕様
NXP Semiconductors / Freescale - A2T18S165-12SR3技術仕様、属性、パラメーター、およびNXP Semiconductors / Freescale - A2T18S165-12SR3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | NXP Semiconductors | |
電圧 - テスト | 28V | |
電圧 - 定格 | 65V | |
トランジスタ型式 | LDMOS | |
サプライヤデバイスパッケージ | NI-780S-2L2L | |
シリーズ | - | |
電力出力 | 148W | |
パッケージ/ケース | NI-780S-2L2L |
製品属性 | 属性値 | |
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他の名前 | 935316365128 | |
雑音指数 | - | |
利得 | 18dB | |
周波数 | 1.805GHz ~ 1.995GHz | |
詳細な説明 | RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 1.805GHz ~ 1.995GHz 18dB 148W NI-780S-2L2L | |
定格電流 | 10µA | |
電流 - テスト | 800mA |
属性 | 説明 |
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RoHS ステータス | |
湿度感度レベル(MSL) | |
州に到達します | |
ECCN | |
HTSUS |
右側の三つのパーツはNXP Semiconductors / Freescale A2T18S165-12SR3と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | A2T18S165-12SR3 | A2T07H310-24SR6 | A2T09D400-23NR6 | A2T18H410-24SR6 |
メーカー | NXP Semiconductors / Freescale | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. |
他の名前 | 935316365128 | - | - | - |
電圧 - テスト | 28V | 28 V | 28 V | 28 V |
サプライヤデバイスパッケージ | NI-780S-2L2L | NI-1230-4LS2L | OM-1230-4L2S | NI-1230-4LS2L |
シリーズ | - | - | - | - |
利得 | 18dB | 18.6dB | 17.8dB | 17.4dB |
周波数 | 1.805GHz ~ 1.995GHz | 880MHz | 716MHz ~ 960MHz | 1.81GHz |
トランジスタ型式 | LDMOS | - | - | - |
パッケージ/ケース | NI-780S-2L2L | NI-1230-4LS2L | OM-1230-4L2S | NI-1230-4LS2L |
雑音指数 | - | - | - | - |
定格電流 | 10µA | - | - | - |
電流 - テスト | 800mA | 700 mA | 1.2 A | 800 mA |
電圧 - 定格 | 65V | 70 V | 70 V | 65 V |
電力出力 | 148W | 47W | 400W | 71W |
詳細な説明 | RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 1.805GHz ~ 1.995GHz 18dB 148W NI-780S-2L2L | - | - | - |
A2T18S165-12SR3 - NXP Semiconductors / FreescaleのA2T18S165-12SR3 PDFデータテーブルとNXP Semiconductors / Freescaleドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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