A2T18S162W31GSR3の技術仕様
NXP Semiconductors / Freescale - A2T18S162W31GSR3技術仕様、属性、パラメーター、およびNXP Semiconductors / Freescale - A2T18S162W31GSR3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | NXP Semiconductors | |
| 電圧 - テスト | 28V | |
| 電圧 - 定格 | 65V | |
| トランジスタ型式 | LDMOS | |
| サプライヤデバイスパッケージ | NI-780GS-2L2LA | |
| シリーズ | - | |
| 電力出力 | 32W | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| パッケージ/ケース | NI-780GS-2L2LA |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 他の名前 | 935322254128 | |
| 雑音指数 | - | |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | |
| 利得 | 20.1dB | |
| 周波数 | 1.84GHz | |
| 詳細な説明 | RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.84GHz 20.1dB 32W NI-780GS-2L2LA | |
| 定格電流 | - | |
| 電流 - テスト | 1A |
右側の三つのパーツはNXP Semiconductors / Freescale A2T18S162W31GSR3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | A2T18S162W31GSR3 | A2T18S262W12NR3 | A2T18H100-25SR3 | A2T20H330W24SR6 |
| メーカー | NXP Semiconductors / Freescale | NXP Semiconductors / Freescale | NXP USA Inc. | NXP Semiconductors / Freescale |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | - | - | Lead free / RoHS Compliant |
| パッケージ/ケース | NI-780GS-2L2LA | OM-880X-2L2L | NI-780-4S4 | NI-1230-4LS2L |
| 利得 | 20.1dB | 19.3dB | 18.1dB | 16.5dB |
| 周波数 | 1.84GHz | 1.805GHz ~ 1.88GHz | 1.81GHz | 1.88GHz |
| 電圧 - 定格 | 65V | 65V | 65 V | 65V |
| 定格電流 | - | 10µA | - | - |
| 雑音指数 | - | - | - | - |
| 電流 - テスト | 1A | 1.6A | 230 mA | 700mA |
| 電圧 - テスト | 28V | 28V | 28 V | 28V |
| 他の名前 | 935322254128 | 935346497528 | - | 935320763128 |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | 3 (168 Hours) | - | 1 (Unlimited) |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | - | - | Tape & Reel (TR) |
| 詳細な説明 | RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.84GHz 20.1dB 32W NI-780GS-2L2LA | RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.805GHz ~ 1.88GHz 19.3dB 231W OM-880X-2L2L | - | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 700mA 1.88GHz 16.5dB 58W NI-1230-4LS2L |
| 電力出力 | 32W | 231W | 18W | 58W |
| トランジスタ型式 | LDMOS | LDMOS | - | LDMOS (Dual) |
| サプライヤデバイスパッケージ | NI-780GS-2L2LA | OM-880X-2L2L | NI-780-4S4 | NI-1230-4LS2L |
| シリーズ | - | - | - | - |
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A2T18S262W12NR3NXP Semiconductors / FreescaleAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOA2T18H100-25SR3NXP USA Inc.FET RF 2CH 65V 1.81GHZA2T20H330W24SR6NXP Semiconductors / FreescaleIC TRANS RF LDMOS
PD84002STMicroelectronicsFET RF 25V 870MHZ
PD55003TR-ESTMicroelectronicsFET RF 40V 500MHZ PWRSO-10A2T27S020GNR1NXP USA Inc.AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T26H160-24SR3Freescale SemiconductorRF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORA2T18H410-24SR6NXP USA Inc.IC TRANS RF LDMOSA2T21S260W12NR3NXP Semiconductors / FreescaleAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOA2T18S260W12NR3NXP Semiconductors / FreescaleAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOA2T21H360-24SR6NXP USA Inc.AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOA2T21H410-24SR6NXP Semiconductors / FreescaleIC TRANS RF LDMOSMRF8S9220HSR3NXP USA Inc.FET RF 70V 960MHZ NI780SA2T18S165-12SR3NXP Semiconductors / FreescaleAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOA2T09D400-23NR6NXP USA Inc.AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOA2T07H310-24SR6NXP USA Inc.FET RF 2CH 70V 880MHZA2T23H300-24SR6NXP USA Inc.IC TRANS RF LDMOSA2T26H160-24SR3NXP SemiconductorsA2T26H160 - AIRFAST RF POWER LDM| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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