FKV550Nの技術仕様
Sanken Electric USA Inc. - FKV550N技術仕様、属性、パラメーター、およびSanken Electric USA Inc. - FKV550N仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Sanken Electric USA Inc. | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15mOhm @ 25A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 35W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2000 pF @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 50 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A (Ta) | |
| 基本製品番号 | FKV550 |
右側の三つのパーツはSanken Electric USA Inc. FKV550Nと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FKV550N | SUP85N10-10-GE3 | AOI4126 | IRFIZ44GPBF |
| メーカー | Sanken Electric USA Inc. | Vishay Siliconix | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Vishay Siliconix |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 4.5V, 10V | 7V, 10V | 10V |
| 電力消費（最大） | 35W (Tc) | 3.75W (Ta), 250W (Tc) | 3W (Ta), 100W (Tc) | 48W (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2000 pF @ 10 V | 6550 pF @ 25 V | 2200 pF @ 50 V | 2500 pF @ 25 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15mOhm @ 25A, 10V | 10.5mOhm @ 30A, 10V | 24mOhm @ 20A, 10V | 28mOhm @ 18A, 10V |
| 基本製品番号 | FKV550 | SUP85 | AOI41 | IRFIZ44 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 50 V | 100 V | 100 V | 60 V |
| パッケージ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A (Ta) | 85A (Tc) | 7.5A (Ta), 43A (Tc) | 30A (Tc) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±25V | ±20V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.2V @ 250µA | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| シリーズ | - | TrenchFET® | SDMOS™ | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F | - | TO-251A | TO-220-3 |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
FKV550N - Sanken Electric USA Inc.のFKV550N PDFデータテーブルとSanken Electric USA Inc.ドキュメントをダウンロード
SUP85N10-10-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 85A TO220ABAOI4126Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 100V 7.5A/43A TO251AIRFIZ44GPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
HUFA76633S3SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
AON1605Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
IRL3713SPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 260A D2PAK
IRFTS8342TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOPIRF9620PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
DMP2104V-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 20V 2.1A SOT563FDD6035ALFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFET
AUIRFR3806International RectifierMOSFET N-CH 60V 43A DPAK
STL22N60DM6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HVSI1303DL-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 670MA SC70-3
STP25N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 18A TO220
FDD6637onsemiMOSFET P-CH 35V 13A/55A DPAK
APT10021JFLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 37A ISOTOPIRF6215SPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
FKV550Sanken Electric Co., Ltd.| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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