STP25N60M2-EPの技術仕様
STMicroelectronics - STP25N60M2-EP技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STP25N60M2-EP仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.75V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±25V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | |
| シリーズ | MDmesh™ M2-EP | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 188mOhm @ 9A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 150W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1090 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STP25 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STP25N60M2-EPと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STP25N60M2-EP | STP260N6F6 | STP265N6F6AG | STP25N10F7 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| シリーズ | MDmesh™ M2-EP | DeepGATE™, STripFET™ VI | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| 電力消費（最大） | 150W (Tc) | 300W (Tc) | 300W (Tc) | 50W (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18A (Tc) | 120A (Tc) | 180A (Tc) | 25A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±25V | ±20V | ±20V | ±20V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1090 pF @ 100 V | 11400 pF @ 25 V | 11800 pF @ 25 V | 920 pF @ 50 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.75V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
| 基本製品番号 | STP25 | STP260 | STP265 | STP25 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 188mOhm @ 9A, 10V | 3mOhm @ 60A, 10V | 2.85mOhm @ 60A, 10V | 35mOhm @ 12.5A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 29 nC @ 10 V | 183 nC @ 10 V | 183 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 60 V | 60 V | 100 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
STP25N60M2-EP - STMicroelectronicsのSTP25N60M2-EP PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STP260N6F6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 120A TO220STP265N6F6AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 180A TO220STP25N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 25A TO220
STP260N6F6 MOSSTMicroelectronics
STP2545CGYNASTP24NF10 MOSSTMicroelectronicsSTP25NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 21A TO220ABSTP24NM60STMicroelectronicsSTP24NF10STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 26A TO220ABSTP24NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 19A TO220ABSTP25NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 21A TO220ABSTP260N4F7ESSTMicroelectronicsSTP260N4F7STMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220STP24NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 17A TO220STP25N06STMicroelectronicsSTP25NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 22A TO220ABSTP25N10F7 MOSSTMicroelectronicsSTP25N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 19.5A TO220| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。