APT10021JFLLの技術仕様
Microchip Technology - APT10021JFLL技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - APT10021JFLL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 5mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOTOP® | |
| シリーズ | POWER MOS 7® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 210mOhm @ 18.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 694W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9750 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 395 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 37A (Tc) | |
| 基本製品番号 | APT10021 |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology APT10021JFLLと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT10021JFLL | APT1001RBVRG | APT1001RBN | APT1001R1BN |
| メーカー | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 5mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 395 nC @ 10 V | 225 nC @ 10 V | 130 nC @ 10 V | 130 nC @ 10 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | - | 10V | 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 210mOhm @ 18.5A, 10V | 1Ohm @ 500mA, 10V | 1Ohm @ 5.5A, 10V | 1.1Ohm @ 5.25A, 10V |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 基本製品番号 | APT10021 | APT1001 | - | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 694W (Tc) | - | 310W (Tc) | 310W (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | 1000 V | 1000 V | 1000 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9750 pF @ 25 V | 3660 pF @ 25 V | 2950 pF @ 25 V | 2950 pF @ 25 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOTOP® | TO-247 [B] | TO-247AD | TO-247AD |
| Vgs（最大） | ±30V | - | ±30V | ±30V |
| シリーズ | POWER MOS 7® | POWER MOS V® | POWER MOS IV® | POWER MOS IV® |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 37A (Tc) | 11A (Tc) | 11A (Tc) | 10.5A (Tc) |
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APT000-1900-005APTIGBT Module
APT10025JVFMicrosemiIGBT ModuleAPT1001RBVRGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 11A TO247APT1001RBNMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 11A TO247ADAPT1001RBVRAPTAPT1001R1BNMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247ADAPT10025JVFRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 34A ISOTOPAPT10021JLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 37A ISOTOP
APT-2012SRDPRVKingbrightAPT10025JVRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 34A ISOTOPAPT10025JFMicrosemiIGBT ModuleAPT1001RBLCAPTIGBT ModuleAPT10025JVEPMicrosemiIGBT ModuleAPT10026JFLLMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 30A ISOTOPAPT10025JVRXMicrosemiIGBT ModuleAPT10025JFLCMicrosemiIGBT ModuleAPT000-1900-002APTIGBT ModuleAPT-2012PBC-AKingbright| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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