IRFI4019HG-117Pの技術仕様
Infineon Technologies - IRFI4019HG-117P技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFI4019HG-117P仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.9V @ 50µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-5 Full-Pak | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 95mOhm @ 5.2A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 18W | |
| パッケージ/ケース | TO-220-5 Full Pack, Formed Leads | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 810pF @ 25V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.7A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | IRFI4019 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFI4019HG-117Pと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFI4019HG-117P | IRFI4024H-117P | IRFI4212H-117P | IRFI4212H-117PXKMA1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 810pF @ 25V | 320pF @ 50V | 490pF @ 50V | 490pF @ 50V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.9V @ 50µA | 4V @ 25µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | IRFI4019 | IRFI4024 | IRFI4212 | IRFI4212 |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力 - 最大 | 18W | 14W | 18W | 18W (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20nC @ 10V | 13nC @ 10V | 18nC @ 10V | 18nC @ 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-5 Full-Pak | TO-220-5 Full-Pak | TO-220-5 Full-Pak | TO-220-5 Full-Pak |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150V | 55V | 100V | 100V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-220-5 Full Pack, Formed Leads | TO-220-5 Full Pack | TO-220-5 Full Pack | TO-220-5 Full Pack, Formed Leads |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 95mOhm @ 5.2A, 10V | 60mOhm @ 7.7A, 10V | 72.5mOhm @ 6.6A, 10V | 72.5mOhm @ 6.6A, 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.7A | 11A | 11A | 11A (Tc) |
IRFI4019HG-117P - Infineon TechnologiesのIRFI4019HG-117P PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFI3306GIRIRFI4024H-117PInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 55V 11A TO-220FP-5IRFI4019H-117P MOSIRIRFI1310NInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 24A TO220AB FPIRFI3205IRIRFI4212H-117PInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5IRFI3205PBF MOSIR
IRFI3205PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 64A TO220AB FPIRFI3306GPBFInternational RectifierIRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNELIRFI4024IRIRFI4110GPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 72A TO220AB FPIRFI4212H-117PXKMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5IRFI4019HG-117P MOSIRIRFI4020HG-117PIRIRFI4020H-117PInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FPIRFI1310NPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 24A TO220AB FPIRFI4019H-117PInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO220-5IRFI3205GIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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