IRFI1310NPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFI1310NPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFI1310NPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB Full-Pak | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 36mOhm @ 13A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 56W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1900 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 120 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 24A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFI1310 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFI1310NPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFI1310NPBF | IRFI3306GPBF | IRFHS8342TRPBF | IRFI3205PBF |
| メーカー | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1900 pF @ 25 V | 4685 pF @ 50 V | 600 pF @ 25 V | 4000 pF @ 25 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 120 nC @ 10 V | 135 nC @ 10 V | 8.7 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V |
| 基本製品番号 | IRFI1310 | - | IRFHS8342 | IRFI3205 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 4.5V, 10V | 10V |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB Full-Pak | PG-TO220 Full Pack | PG-TSDSON-6 | TO-220AB Full-Pak |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | 6-PowerVDFN | TO-220-3 Full Pack |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 24A (Tc) | 71A (Tc) | 8.8A (Ta), 19A (Tc) | 64A (Tc) |
| 電力消費（最大） | 56W (Tc) | 46W (Tc) | 2.1W (Ta) | 63W (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 1.037mA | 2.35V @ 25µA | 4V @ 250µA |
| パッケージ | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 60 V | 30 V | 55 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 36mOhm @ 13A, 10V | 4.2mOhm @ 43A, 10V | 16mOhm @ 8.5A, 10V | 8mOhm @ 34A, 10V |
IRFI1310NPBF - Infineon TechnologiesのIRFI1310NPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFI4019H-117PInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO220-5IRFI3306GPBFInternational RectifierIRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL
IRFI4019HG-117P MOSIRIRFHS8342TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSONIRFI3205IRIRFHS8342TRPBF MOSIRIRFI4019HG-117PInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FPIRFI4019H-117P MOSIRIRFI3205PBF MOSIRIRFHS9351TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFNIRFI3205PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 64A TO220AB FPIRFI1310NInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 24A TO220AB FPIRFI3306GIRIRFHS9301TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFNIRFI3205GIRIRFI1010NPBF MOSIRIRFI1010NPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 49A TO220AB FPIRFHS8342TR2PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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