IRFI4110GPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFI4110GPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFI4110GPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB Full-Pak | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.5mOhm @ 43A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 61W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9540 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 290 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 72A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFI4110 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFI4110GPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFI4110GPBF | IRFI4227PBF | IRFI4321PBF | IRFI4228PBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±30V | ±30V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 290 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB Full-Pak | TO-220AB Full-Pak | TO-220AB Full-Pak | TO-220AB Full-Pak |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 72A (Tc) | 26A (Tc) | 34A (Tc) | 34A (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9540 pF @ 50 V | 4600 pF @ 25 V | 4440 pF @ 50 V | 4560 pF @ 25 V |
| 電力消費（最大） | 61W (Tc) | 46W (Tc) | 46W (Tc) | 46W (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.5mOhm @ 43A, 10V | 25mOhm @ 17A, 10V | 16mOhm @ 20A, 10V | 16mOhm @ 20A, 10V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 基本製品番号 | IRFI4110 | IRFI4227 | IRFI4321 | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 200 V | 150 V | 150 V |
IRFI4110GPBF - Infineon TechnologiesのIRFI4110GPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFI4227IRIRFI4024IRIRFI4019H-117P MOSIRIRFI4024H-117P MOSIR
IRFI4212H-117PXKMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5IRFI4227PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FPIRFI4229PBFInternational RectifierIRFI4229 - 12V-300V N-CHANNEL POIRFI4020HG-117PIRIRFI4020H-117PInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FPIRFI4110GIRIRFI4019HG-117PInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FPIRFI4024H-117PInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 55V 11A TO-220FP-5IRFI4019H-117PInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO220-5IRFI4229IRIRFI4321PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FPIRFI4212H-117PInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5IRFI4019HG-117P MOSIRIRFI4228PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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