IRFH5250TR2PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFH5250TR2PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFH5250TR2PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 150µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.15mOhm @ 50A, 10V | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
| パッケージ | Cut Tape (CT) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7174 pF @ 13 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 45A (Ta), 100A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFH5250TR2PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFH5250TR2PBF | IRFH5215TRPBF | IRFH5255TRPBF | IRFH5250DTR2PBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | 150 V | 25 V | 25 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) |
| パッケージ | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Cut Tape (CT) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.15mOhm @ 50A, 10V | 58mOhm @ 16A, 10V | 6mOhm @ 15A, 10V | 1.4mOhm @ 50A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 45A (Ta), 100A (Tc) | 5A (Ta), 27A (Tc) | 15A (Ta), 51A (Tc) | 40A (Ta), 100A (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 150µA | 5V @ 100µA | 2.35V @ 25µA | 2.35V @ 150µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V | 32 nC @ 10 V | 14.5 nC @ 10 V | 83 nC @ 10 V |
| シリーズ | - | HEXFET® | HEXFET® | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 8-VQFN Exposed Pad | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7174 pF @ 13 V | 1350 pF @ 50 V | 988 pF @ 13 V | 6115 pF @ 13 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
IRFH5250TR2PBF - Infineon TechnologiesのIRFH5250TR2PBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFH5250DTRPBF MOSIRIRFH5250PBFIRIRFH5215TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFNIRFH5255TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 25V 15A/51A PQFNIRFH5250TRPBF MOSIRIRFH5250DTR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 40A 8VQFNIRFH5220TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 3.8A PQFNIRFH5255TRPBF MOSIRIRFH5210TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFNIRFH5300TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 40A PQFNIRFH5250TR2PBFCT-NDIRIRFH5210TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFNIRFH5300TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFNIRFH5250TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFNIRFH5250DPBFIRIRFH5250DTRPBFInternational RectifierIRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL POIRFH5300DTRPBFIRIRFH5220TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 3.8A/20A PQFN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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