IRFH5300TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFH5300TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFH5300TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 150µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.4mOhm @ 50A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.6W (Ta), 250W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7200 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 120 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Ta), 100A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFH5300 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFH5300TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFH5300TRPBF | IRFH5302TR2PBF | IRFH5301TRPBF | IRFH5250TRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 25 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 120 nC @ 10 V | 76 nC @ 10 V | 77 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 基本製品番号 | IRFH5300 | - | IRFH5301 | IRFH5250 |
| 電力消費（最大） | 3.6W (Ta), 250W (Tc) | - | 3.6W (Ta), 110W (Tc) | 3.6W (Ta), 160W (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| シリーズ | HEXFET® | - | HEXFET® | HEXFET® |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±20V | - | ±20V | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | PQFN (5x6) Single Die | PQFN (5x6) Single Die | 8-PQFN (5x6) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Ta), 100A (Tc) | 32A (Ta), 100A (Tc) | 35A (Ta), 100A (Tc) | 45A (Ta), 100A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.4mOhm @ 50A, 10V | 2.1mOhm @ 50A, 10V | 1.85mOhm @ 50A, 10V | 1.15mOhm @ 50A, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | - | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7200 pF @ 15 V | 4400 pF @ 15 V | 5114 pF @ 15 V | 7174 pF @ 13 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 150µA | 2.35V @ 100µA | 2.35V @ 100µA | 2.35V @ 150µA |
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IRFH5302TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFNIRFH5301TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFNIRFH5250PBFIRIRFH5250TRPBF MOSIRIRFH5250TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFNIRFH5255TRPBF MOSIRIRFH5301TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFH5302DTR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 29A 8VQFNIRFH5301PBFIRIRFH5300TRPBF MOSIRIRFH5300DTRPBFIRIRFH5301TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFNIRFH5300TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 40A PQFNIRFH5255TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 25V 15A/51A PQFNIRFH5250DTRPBF MOSIRIRFH5250TR2PBFCT-NDIRIRFH5250TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 45A PQFNIRFH5302DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 29A/100A PQFN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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