IRFH5220TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFH5220TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFH5220TRPBF仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Infineon Technologies | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 100µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PQFN (5x6) | |
シリーズ | HEXFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 99.9mOhm @ 5.8A, 10V | |
電力消費(最大) | 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) | |
パッケージ/ケース | 8-VQFN Exposed Pad | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1380 pF @ 50 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.8A (Ta), 20A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFH5220TRPBFと同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | IRFH5220TRPBF | IRFH5255TRPBF | IRFH5210TRPBF | IRFH5250DTR2PBF |
メーカー | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | - | 10V | - |
FET特長 | - | - | - | - |
サプライヤデバイスパッケージ | PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.8A (Ta), 20A (Tc) | 15A (Ta), 51A (Tc) | 10A (Ta), 55A (Tc) | 40A (Ta), 100A (Tc) |
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 100µA | 2.35V @ 25µA | 4V @ 100µA | 2.35V @ 150µA |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 99.9mOhm @ 5.8A, 10V | 6mOhm @ 15A, 10V | 14.9mOhm @ 33A, 10V | 1.4mOhm @ 50A, 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 30 nC @ 10 V | 14.5 nC @ 10 V | 59 nC @ 10 V | 83 nC @ 10 V |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
電力消費(最大) | 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) | 3.6W (Ta), 26W (Tc) | 3.6W (Ta), 104W (Tc) | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200 V | 25 V | 100 V | 25 V |
シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | - |
パッケージ/ケース | 8-VQFN Exposed Pad | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1380 pF @ 50 V | 988 pF @ 13 V | 2570 pF @ 25 V | 6115 pF @ 13 V |
Vgs(最大) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
IRFH5220TRPBF - Infineon TechnologiesのIRFH5220TRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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