IRFH5204TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFH5204TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFH5204TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PQFN (5x6) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.3mOhm @ 50A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.6W (Ta), 105W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-VQFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2460 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 65 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Ta), 100A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFH5204TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFH5204TRPBF | IRFH5106TR2PBF | IRFH5220TR2PBF | IRFH5206TR2PBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±20V | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) |
| シリーズ | HEXFET® | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.3mOhm @ 50A, 10V | 5.6mOhm @ 50A, 10V | 99.9mOhm @ 5.8A, 10V | 6.7mOhm @ 50A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Ta), 100A (Tc) | 21A (Ta), 100A (Tc) | 3.8A (Ta), 20A (Tc) | 16A (Ta), 89A (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 60 V | 200 V | 60 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) |
| 電力消費（最大） | 3.6W (Ta), 105W (Tc) | - | - | - |
| パッケージ/ケース | 8-VQFN Exposed Pad | 8-PowerVDFN | 8-VQFN Exposed Pad | 8-PowerVDFN |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 100µA | 4V @ 250µA | 5V @ 100µA | 4V @ 100µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2460 pF @ 25 V | 3090 pF @ 25 V | 1380 pF @ 50 V | 2490 pF @ 25 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 65 nC @ 10 V | 75 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V |
IRFH5204TRPBF - Infineon TechnologiesのIRFH5204TRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFH5204IRIRFH5106TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFNIRFH5220TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 3.8A PQFNIRFH5206TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 16A 5X6 PQFNIRFH5110PBFIRIRFH5110IRIRFH5207TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 13A/71A 8PQFNIRFH5204TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 22A PQFNIRFH5110TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 5X6 PQFNIRFH5110TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFNIRFH5104TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFNIRFH5206TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 16A/89A 8PQFNIRFH5215TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 5A/27A PQFNIRFH5220TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 3.8A/20A PQFNIRFH5210TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFNIRFH5106TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFNIRFH5106IRIRFH5210TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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