IRF6893MTRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF6893MTRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF6893MTRPBF仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Infineon Technologies | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.1V @ 100µA | |
Vgs(最大) | ±16V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ MX | |
シリーズ | HEXFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.6mOhm @ 29A, 10V | |
電力消費(最大) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) | |
パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric MX | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3480 pF @ 13 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 38 nC @ 4.5 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 25 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 29A (Ta), 168A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF6893MTRPBFと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | IRF6893MTRPBF | IRF6798MTRPBF | IRF710 | IRF6810STRPBF |
メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | onsemi | International Rectifier |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Bulk |
電力消費(最大) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) | 2.8W (Ta), 78W (Tc) | 36W (Tc) | 2.1W (Ta), 20W (Tc) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3480 pF @ 13 V | 6560 pF @ 13 V | 170 pF @ 25 V | 1038 pF @ 13 V |
Vgs(最大) | ±16V | ±20V | ±20V | ±16V |
シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | - | HEXFET® |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 38 nC @ 4.5 V | 75 nC @ 4.5 V | 17 nC @ 10 V | 11 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.6mOhm @ 29A, 10V | 1.3mOhm @ 37A, 10V | 3.6Ohm @ 1.2A, 10V | 5.2mOhm @ 16A, 10V |
サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ MX | DIRECTFET™ MX | TO-220AB | DIRECTFET S1 |
パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric MX | DirectFET™ Isometric MX | TO-220-3 | DirectFET™ Isometric S1 |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.1V @ 100µA | 2.35V @ 150µA | 4V @ 250µA | 2.1V @ 25µA |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 25 V | 25 V | 400 V | 25 V |
FET特長 | - | Schottky Diode (Body) | - | - |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 29A (Ta), 168A (Tc) | 37A (Ta), 197A (Tc) | 2A (Tc) | 16A (Ta), 50A (Tc) |
IRF6893MTRPBF - Infineon TechnologiesのIRF6893MTRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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