IRF6798MTRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF6798MTRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF6798MTRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 150µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ MX | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.3mOhm @ 37A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.8W (Ta), 78W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric MX | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6560 pF @ 13 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 75 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | Schottky Diode (Body) | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 37A (Ta), 197A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF6798MTRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF6798MTRPBF | IRF6775MTR1PBF | IRF6795MTRPBF | IRF6775MTRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 37A (Ta), 197A (Tc) | 4.9A (Ta), 28A (Tc) | 32A (Ta), 160A (Tc) | 4.9A (Ta), 28A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| 電力消費（最大） | 2.8W (Ta), 78W (Tc) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | 2.8W (Ta), 75W (Tc) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.3mOhm @ 37A, 10V | 56mOhm @ 5.6A, 10V | 1.8mOhm @ 32A, 10V | 56mOhm @ 5.6A, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET特長 | Schottky Diode (Body) | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ MX | DIRECTFET™ MZ | DIRECTFET™ MX | DIRECTFET™ MZ |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | 150 V | 25 V | 150 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 150µA | 5V @ 100µA | 2.35V @ 100µA | 5V @ 100µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6560 pF @ 13 V | 1411 pF @ 25 V | 4280 pF @ 13 V | 1411 pF @ 25 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V | 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 75 nC @ 4.5 V | 36 nC @ 10 V | 53 nC @ 4.5 V | 36 nC @ 10 V |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric MX | DirectFET™ Isometric MZ | DirectFET™ Isometric MX | DirectFET™ Isometric MZ |
IRF6798MTRPBF - Infineon TechnologiesのIRF6798MTRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF6775MTR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFETIRF6795MTRPBFInternational RectifierIRF6795 - 12V-300V N-CHANNEL POWIRF6775MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFETIRF6802SDTR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 25V 16A SAIRF6810STRPBFInternational RectifierPFET, 16A I(D), 25V, 0.0052OHM,IRF6798MTR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFETIRF6811STRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFTIRF6795MTR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFETIRF6797MTRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 25V 36A/210A DIRECTIRF6802SDTRPBFInternational Rectifier25V DUAL CONTROL FET IN S- CANIRF6894MTRPBFInternational Rectifier25V 999A DIRECTFET-LVIRF6798MTR1PBF MOSIRIRF6795MTR1PBF.IRIRF6795MTRPBF MOSIRIRF6785MTRPBFInternational RectifierIRF6785 - 12V-300V N-CHANNEL POWIRF6892STRPBFInternational Rectifier25V 999A DIRECTFET-LVIRF6893MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFETIRF6811STRPBF MOSIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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