IRF6892STRPBFの技術仕様
International Rectifier - IRF6892STRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInternational Rectifier - IRF6892STRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.1V @ 50µA | |
| Vgs（最大） | ±16V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ S3C | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.7mOhm @ 28A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.1W (Ta), 42W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric S3C | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2510 pF @ 13 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 25 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 28A (Ta), 125A (Tc) |
右側の三つのパーツはInternational Rectifier IRF6892STRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF6892STRPBF | IRF6798MTRPBF | IRF710 | IRF6893MTRPBF |
| メーカー | International Rectifier | Infineon Technologies | Harris Corporation | Infineon Technologies |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2510 pF @ 13 V | 6560 pF @ 13 V | 135 pF @ 25 V | 3480 pF @ 13 V |
| 電力消費（最大） | 2.1W (Ta), 42W (Tc) | 2.8W (Ta), 78W (Tc) | 36W (Tc) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ S3C | DIRECTFET™ MX | TO-220AB | DIRECTFET™ MX |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 25 nC @ 4.5 V | 75 nC @ 4.5 V | 12 nC @ 10 V | 38 nC @ 4.5 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | 25 V | 400 V | 25 V |
| Vgs（最大） | ±16V | ±20V | ±20V | ±16V |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric S3C | DirectFET™ Isometric MX | TO-220-3 | DirectFET™ Isometric MX |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.1V @ 50µA | 2.35V @ 150µA | 4V @ 250µA | 2.1V @ 100µA |
| FET特長 | - | Schottky Diode (Body) | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.7mOhm @ 28A, 10V | 1.3mOhm @ 37A, 10V | 3.6Ohm @ 1.1A, 10V | 1.6mOhm @ 29A, 10V |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 28A (Ta), 125A (Tc) | 37A (Ta), 197A (Tc) | 2A (Tc) | 29A (Ta), 168A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | - | HEXFET® |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
IRF6798MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFETIRF710Harris CorporationPFET, 2A I(D), 400V, 3.6OHM, 1-EIRF6802SDTR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 25V 16A SAIRF6893MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFETIRF6802SDTRPBFInternational Rectifier25V DUAL CONTROL FET IN S- CAN
IRF710Vishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 2A TO220ABIRF6894MTRPBF MOSIRIRF6894MTRPBFInternational Rectifier25V 999A DIRECTFET-LVIRF6811STRPBF MOSIRIRF6798MTR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFETIRF6797MTRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 25V 36A/210A DIRECT
IRF710onsemiMOSFET N-CH 400V 2A TO220ABIRF6898MTRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 25V 40A/214A DIRECT
IRF710Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 400V 2A TO220ABIRF6811STRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFTIRF6810STRPBFInternational RectifierPFET, 16A I(D), 25V, 0.0052OHM,IRF7101IRIRF6798MTR1PBF MOSIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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