画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FDMC8882 - onsemi
- メーカー 部品型番
- FDMC8882
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FDMC8882
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
- 詳細な説明
- パッケージ
- 8-PowerWDFN
- データシート
- FDMC8882.pdf
- RoHS ステータス
- 在庫あり: 93080
FDMC8882の技術仕様
onsemi - FDMC8882技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDMC8882仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-MLP (3.3x3.3) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14.3mOhm @ 10.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.3W (Ta), 18W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 945 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10.5A (Ta), 16A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDMC88 |
右側の三つのパーツはonsemi FDMC8882と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDMC8882 | FDMC8884 | FDMC8884 | FDMC8854 |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10.5A (Ta), 16A (Tc) | 9A (Ta), 15A (Tc) | 9A (Ta), 15A (Tc) | 15A (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 945 pF @ 15 V | 685 pF @ 15 V | 685 pF @ 15 V | 3405 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V | 57 nC @ 10 V |
| 基本製品番号 | FDMC88 | - | FDMC88 | FDMC88 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14.3mOhm @ 10.5A, 10V | 19mOhm @ 9A, 10V | 19mOhm @ 9A, 10V | 5.7mOhm @ 15A, 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-MLP (3.3x3.3) | 8-MLP (3.3x3.3) | 8-MLP (3.3x3.3) | 8-MLP (3.3x3.3) |
| 電力消費（最大） | 2.3W (Ta), 18W (Tc) | 2.3W (Ta), 18W (Tc) | 2.3W (Ta), 18W (Tc) | 2W (Ta), 41W (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
FDMC8882 - onsemiのFDMC8882 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDMC8884 MOSFairchild (onsemi)FDMC8884Fairchild Semiconductor9A, 30V, 0.019OHM, N-CHANNEL POWFDMC8854 MOSFairchild (onsemi)FDMC8884onsemiMOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLPFDMD8240LonsemiMOSFET 2N-CH 40V 23AFDMC8854onsemiMOSFET N-CH 30V 15A 8MLPFDMC8678Sonsemi15A, 30V, 0.0052OHM, N-CHANNEL PFDMD8240LET40onsemiMOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X5FDMC8878 MOSFairchild (onsemi)FDMC8878(30V/16.5A)Fairchild (onsemi)FDMC89521LonsemiMOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8POWER33FDMC8882 MOSFairchild (onsemi)FDMC8878onsemiMOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLPFDMC8678SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 15A/18A POWER33FDMC8854Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDMC8878Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9FDMC8678S MOSFairchild (onsemi)FDMD8260LonsemiMOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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