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まず  ページプロダクトセンターディスクリート半導体製品トランジスタ-fet、mosfet-シングルSIR112DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
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SIR112DP-T1-RE3 - Vishay Siliconix

メーカー 部品型番
SIR112DP-T1-RE3
メーカー
Vishay / Siliconix
Allelco 部品型番
32D-SIR112DP-T1-RE3
ECADモデル
モデルの説明
MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
パッケージ
PowerPAK® SO-8
データシート
SIR112DP.pdf
RoHS ステータス
比較
認定
在庫あり: 49280

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数量
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認定

規格

SIR112DP-T1-RE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIR112DP-T1-RE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIR112DP-T1-RE3仕様に似たパーツ

製品属性 属性値  
メーカー Vishay / Siliconix  
同上@ VGS（TH）（最大） 2.4V @ 250µA  
Vgs（最大） +20V, -16V  
技術 MOSFET (Metal Oxide)  
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8  
シリーズ TrenchFET® Gen IV  
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.96mOhm @ 10A, 10V  
電力消費（最大） 5W (Ta), 62.5W (Tc)  
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8  
パッケージ Tape & Reel (TR)  
製品属性 属性値  
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)  
装着タイプ Surface Mount  
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4270 pF @ 20 V  
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 89 nC @ 10 V  
FETタイプ N-Channel  
FET特長 -  
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V  
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40 V  
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 37.6A (Ta), 133A (Tc)  
基本製品番号 SIR112  

環境と輸出分類

属性 説明
RoHS ステータス
湿度感度レベル（MSL） 1 (Unlimited)
州に到達します
ECCN EAR99
HTSUS

共通規格を持つ部品

右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIR112DP-T1-RE3と同様の仕様

製品属性 SIR112DP-T1-RE3 SIR124DP-T1-RE3 SIR140DP-T1-RE3 SIR104LDP-T1-RE3
部品型番 SIR112DP-T1-RE3 SIR124DP-T1-RE3 SIR140DP-T1-RE3 SIR104LDP-T1-RE3
メーカー Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V 7.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.96mOhm @ 10A, 10V 8.4mOhm @ 10A, 10V 0.67mOhm @ 20A, 10V 6.1mOhm @ 15A, 10V
基本製品番号 SIR112 SIR124 SIR140 SIR104
同上@ VGS（TH）（最大） 2.4V @ 250µA 3.8V @ 250µA 2.1V @ 250µA 3V @ 250µA
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
パッケージ Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs（最大） +20V, -16V ±20V +20V, -16V ±20V
電力消費（最大） 5W (Ta), 62.5W (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) 5.4W (Ta), 100W (Tc)
FETタイプ N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4270 pF @ 20 V 1666 pF @ 40 V 8150 pF @ 10 V 4870 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 89 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
シリーズ TrenchFET® Gen IV TrenchFET® Gen IV TrenchFET® Gen IV TrenchFET®
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 37.6A (Ta), 133A (Tc) 16.1A (Ta), 56.8A (Tc) 71.9A (Ta), 100A (Tc) 18.8A (Ta), 81A (Tc)
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40 V 80 V 25 V 100 V
装着タイプ Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET特長 - - - -

SIR112DP-T1-RE3データテーブルPDF

SIR112DP-T1-RE3 - Vishay SiliconixのSIR112DP-T1-RE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード

PCN設計/仕様
Mult Dev 07/Jun/2023.pdf New solder paste 26/May/2023.pdf
PCNアセンブリ/オリジン
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
データシート
SIR112DP.pdf

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配送コスト

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  2. 出荷にはアカウントを使用してください。おおよその料金については、以下の表を参照してください。
（異なる時間枠 /国 /パッケージサイズの価格は異なります。）

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一般的な国のロジスティック時間参照
地域 国 ロジスティック時間（日）
アメリカ アメリカ 5
ブラジル 7
ヨーロッパ ドイツ 5
イギリス 4
イタリア 5
オセアニア オーストラリア 6
ニュージーランド 5
アジア インド 4
日本 4
中東 イスラエル 6
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス
発送料（kg） 参照DHL（USD $）
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
注記：
上記の表は参照用です。制御不能な要因にはデータバイアスがある場合があります。
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