SIR104LDP-T1-RE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIR104LDP-T1-RE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIR104LDP-T1-RE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.1mOhm @ 15A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 5.4W (Ta), 100W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4870 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18.8A (Ta), 81A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SIR104 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIR104LDP-T1-RE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SIR104LDP-T1-RE3 | SIR106DP-T1-RE3 | SIR124DP-T1-RE3 | SIR112DP-T1-RE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 7.5V, 10V | 7.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V | 64 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V | 89 nC @ 10 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4870 pF @ 50 V | 3610 pF @ 50 V | 1666 pF @ 40 V | 4270 pF @ 20 V |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 基本製品番号 | SIR104 | SIR106 | SIR124 | SIR112 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen IV |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 3.4V @ 250µA | 3.8V @ 250µA | 2.4V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 80 V | 40 V |
| 電力消費（最大） | 5.4W (Ta), 100W (Tc) | 3.2W (Ta), 83.3W (Tc) | 5W (Ta), 62.5W (Tc) | 5W (Ta), 62.5W (Tc) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18.8A (Ta), 81A (Tc) | 16.1A (Ta), 65.8A (Tc) | 16.1A (Ta), 56.8A (Tc) | 37.6A (Ta), 133A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | +20V, -16V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.1mOhm @ 15A, 10V | 8mOhm @ 15A, 10V | 8.4mOhm @ 10A, 10V | 1.96mOhm @ 10A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
SIR104LDP-T1-RE3 - Vishay SiliconixのSIR104LDP-T1-RE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SIR106DP-T1-RE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
SIR106DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay
SIR-341ST3FNLAPIS Technology
SIR11-21C/TR8Everlight Electronics
SIR12-21C/TR8Everlight Electronics Co LtdEMITTER IR 875NM 65MA 1208SIR124DP-T1-RE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAKSIR124DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySIR-56ST3FNLAPIS TechnologySIR112DP-T1-RE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAKSIR140DP-T1-RE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAKSIR-34ST3FLLAPIS TechnologySIR-563ST3FRohm SemiconductorINFRARED LIGHT EMITTING DIODES TSIR106ADP-T1-RE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAKSIR-S4-112AGOODSKYSIR104ADP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySIR108DP-TI-RE3Electro-Films (EFI) / VishaySIR112DP-T1_RE3Electro-Films (EFI) / Vishay
SIR-34ST3FRohm SemiconductorEMITTER IR 950NM 100MA T-1| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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