SI8851EDB-T2-E1の技術仕様
Vishay Siliconix - SI8851EDB-T2-E1技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI8851EDB-T2-E1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | Power Micro Foot® (2.4x2) | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8mOhm @ 7A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 660mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 30-XFBGA | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6900 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 180 nC @ 8 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.7A (Ta) | |
| 基本製品番号 | SI8851 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI8851EDB-T2-E1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI8851EDB-T2-E1 | SI8819EDB-T2-E1 | SI8812DB-T2-E1 | SI8816EDB-T2-E1 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6900 pF @ 10 V | 650 pF @ 6 V | - | 195 pF @ 15 V |
| 基本製品番号 | SI8851 | SI8819 | SI8812 | SI8816 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8mOhm @ 7A, 4.5V | 80mOhm @ 1.5A, 3.7V | 59mOhm @ 1A, 4.5V | 109mOhm @ 1A, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V | 1.5V, 3.7V | 1.2V, 4.5V | 2.5V, 10V |
| シリーズ | TrenchFET® | - | TrenchFET® | TrenchFET® |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 180 nC @ 8 V | 17 nC @ 8 V | 17 nC @ 8 V | 8 nC @ 10 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 900mV @ 250µA | 1V @ 250µA | 1.4V @ 250µA |
| 電力消費（最大） | 660mW (Ta) | 900mW (Ta) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) |
| サプライヤデバイスパッケージ | Power Micro Foot® (2.4x2) | 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) | 4-Microfoot | 4-Microfoot |
| Vgs（最大） | ±8V | ±8V | ±5V | ±12V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | 30-XFBGA | 4-XFBGA | 4-UFBGA | 4-XFBGA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.7A (Ta) | 2.9A (Ta) | 2.3A (Ta) | 1.5A (Ta) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 12 V | 20 V | 30 V |
SI8851EDB-T2-E1 - Vishay SiliconixのSI8851EDB-T2-E1 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI88621ED-ISSkyworks Solutions Inc.DGTL ISO 5000VRMS 2CH GP 20SOICSI88241EC-ASRSkyworks Solutions Inc.AUTOMOTIVE 3.75 KV 4-CHANNEL DIGSI8819EDB-T2-E1Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOTSI8812DB-T2-E1Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 4MICROFOOTSI8816EDB-T2-E1Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
SI8900D-A01-GSSkyworks Solutions Inc.IC ADC 10BIT SAR 16SOICSI8901EDB-T2-E1Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6-MFPSI8900B-A01-GSRSkyworks Solutions Inc.IC ADC 10BIT SAR 16SOIC
SI8901EDB-T2Electro-Films (EFI) / Vishay
SI88241ED-ISRSkyworks Solutions Inc.DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOICSI8817DB-T2-E1Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 4MICROFOOTSI8817DB-T2-E1 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI8900EDB-T2-E1Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFPSI88621BD-ISSkyworks Solutions Inc.DGTL ISO 5000VRMS 2CH GP 20SOICSI8902B-A01-GSSkyworks Solutions Inc.IC ADC 10BIT SAR 16SOIC
SI88642EC-ISRSkyworks Solutions Inc.DGTL ISO 5000VRMS 4CH GP 24SOICSI8810EDB-T2-E1Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOTSI88621EC-ISRSkyworks Solutions Inc.DGTL ISO 5000VRMS 2CH GP 20SOIC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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