SI8819EDB-T2-E1の技術仕様
Vishay Siliconix - SI8819EDB-T2-E1技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI8819EDB-T2-E1仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 900mV @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±8V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) | |
シリーズ | - | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 80mOhm @ 1.5A, 3.7V | |
電力消費(最大) | 900mW (Ta) | |
パッケージ/ケース | 4-XFBGA | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 650 pF @ 6 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 17 nC @ 8 V | |
FETタイプ | P-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.5V, 3.7V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 12 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.9A (Ta) | |
基本製品番号 | SI8819 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI8819EDB-T2-E1と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | SI8819EDB-T2-E1 | SI8816EDB-T2-E1 | SI8809EDB-T2-E1 | SI8812DB-T2-E1 |
メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
FETタイプ | P-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 80mOhm @ 1.5A, 3.7V | 109mOhm @ 1A, 10V | 90mOhm @ 1.5A, 4.5V | 59mOhm @ 1A, 4.5V |
同上@ VGS(TH)(最大) | 900mV @ 250µA | 1.4V @ 250µA | 900mV @ 250µA | 1V @ 250µA |
FET特長 | - | - | - | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.5V, 3.7V | 2.5V, 10V | 1.8V, 4.5V | 1.2V, 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 650 pF @ 6 V | 195 pF @ 15 V | - | - |
電力消費(最大) | 900mW (Ta) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) |
Vgs(最大) | ±8V | ±12V | ±8V | ±5V |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
サプライヤデバイスパッケージ | 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) | 4-Microfoot | 4-Microfoot | 4-Microfoot |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.9A (Ta) | 1.5A (Ta) | 1.94 (Ta) | 2.3A (Ta) |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 17 nC @ 8 V | 8 nC @ 10 V | 15 nC @ 8 V | 17 nC @ 8 V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 12 V | 30 V | 20 V | 20 V |
シリーズ | - | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
パッケージ/ケース | 4-XFBGA | 4-XFBGA | 4-XFBGA | 4-UFBGA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
基本製品番号 | SI8819 | SI8816 | SI8809 | SI8812 |
SI8819EDB-T2-E1 - Vishay SiliconixのSI8819EDB-T2-E1 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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