SI5415EDU-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI5415EDU-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI5415EDU-T1-GE3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±8V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® ChipFet Single | |
シリーズ | TrenchFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 9.8mOhm @ 10A, 4.5V | |
電力消費(最大) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) | |
パッケージ/ケース | PowerPAK® ChipFET™ Single | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4300 pF @ 10 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 120 nC @ 8 V | |
FETタイプ | P-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 25A (Tc) | |
基本製品番号 | SI5415 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI5415EDU-T1-GE3と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | SI5415EDU-T1-GE3 | SI5406DC-T1-E3 | SI5415AEDU-T1-GE3 | SI5429DU-T1-GE3 |
メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Electro-Films (EFI) / Vishay |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V | 12 V | 20 V | 30V |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA | 600mV @ 1.2mA (Min) | 1V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 25A (Tc) | 6.9A (Ta) | 25A (Tc) | 12A (Tc) |
Vgs(最大) | ±8V | ±8V | ±8V | ±20V |
シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
FET特長 | - | - | - | - |
FETタイプ | P-Channel | N-Channel | P-Channel | P-Channel |
電力消費(最大) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) | 1.3W (Ta) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
運転温度 | -50°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 4.5V, 10V |
パッケージ/ケース | PowerPAK® ChipFET™ Single | 8-SMD, Flat Lead | PowerPAK® ChipFET™ Single | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 120 nC @ 8 V | 20 nC @ 4.5 V | 120 nC @ 8 V | 63nC @ 10V |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 9.8mOhm @ 10A, 4.5V | 20mOhm @ 6.9A, 4.5V | 9.6mOhm @ 10A, 4.5V | 15 mOhm @ 7A, 10V |
基本製品番号 | SI5415 | SI5406 | SI5415 | - |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® ChipFet Single | 1206-8 ChipFET™ | PowerPAK® ChipFet Single | PowerPAK® ChipFet Dual |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4300 pF @ 10 V | - | 4300 pF @ 10 V | 2320pF @ 15V |
SI5415EDU-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSI5415EDU-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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