SI5429DU-T1-GE3の技術仕様
Electro-Films (EFI) / Vishay - SI5429DU-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびElectro-Films (EFI) / Vishay - SI5429DU-T1-GE3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Electro-Films (EFI) / Vishay | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® ChipFet Dual | |
シリーズ | TrenchFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 15 mOhm @ 7A, 10V | |
電力消費(最大) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) | |
パッケージング | Original-Reel® | |
パッケージ/ケース | PowerPAK® ChipFET™ Dual | |
他の名前 | SI5429DU-T1-GE3DKR | |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 | |
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装着タイプ | Surface Mount | |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2320pF @ 15V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 63nC @ 10V | |
FETタイプ | P-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V | |
詳細な説明 | P-Channel 30V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 12A (Tc) |
右側の三つのパーツはElectro-Films (EFI) / Vishay SI5429DU-T1-GE3と同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | SI5429DU-T1-GE3 | SI5411EDU-T1-GE3 | SI5433BDC-T1-GE3 | SI5433BDC-T1-E3 |
メーカー | Electro-Films (EFI) / Vishay | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
他の名前 | SI5429DU-T1-GE3DKR | - | - | - |
パッケージ/ケース | PowerPAK® ChipFET™ Dual | PowerPAK® ChipFET™ Single | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 15 mOhm @ 7A, 10V | 8.2mOhm @ 6A, 4.5V | 37mOhm @ 4.8A, 4.5V | 37mOhm @ 4.8A, 4.5V |
Vgs(最大) | ±20V | ±8V | ±8V | ±8V |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V | 12 V | 20 V | 20 V |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 250µA | 900mV @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
パッケージング | Original-Reel® | - | - | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 63nC @ 10V | 105 nC @ 8 V | 22 nC @ 4.5 V | 22 nC @ 4.5 V |
FET特長 | - | - | - | - |
電力消費(最大) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) | 1.3W (Ta) | 1.3W (Ta) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 12A (Tc) | 25A (Tc) | 4.8A (Ta) | 4.8A (Ta) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2320pF @ 15V | 4100 pF @ 6 V | - | - |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
詳細な説明 | P-Channel 30V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual | - | - | - |
シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® ChipFet Dual | PowerPAK® ChipFet Single | 1206-8 ChipFET™ | 1206-8 ChipFET™ |
SI5429DU-T1-GE3 - Electro-Films (EFI) / VishayのSI5429DU-T1-GE3 PDFデータテーブルとElectro-Films (EFI) / Vishayドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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