SI1026X-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI1026X-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI1026X-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-89 (SOT-563F) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.4Ohm @ 500mA, 10V | |
| 電力 - 最大 | 250mW | |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 30pF @ 25V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.6nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 305mA | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | SI1026 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI1026X-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI1026X-T1-GE3 | SI1024X-T1-GE3 | SI1029X-T1-GE3 | SI1025X-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| シリーズ | - | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 30pF @ 25V | - | 30pF @ 25V | 23pF @ 25V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 305mA | 485mA | 305mA, 190mA | 190mA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | SI1026 | SI1024 | SI1029 | SI1025 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 900mV @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 |
| 電力 - 最大 | 250mW | 250mW | 250mW | 250mW |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel | 2 P-Channel (Dual) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.4Ohm @ 500mA, 10V | 700mOhm @ 600mA, 4.5V | 1.4Ohm @ 500mA, 10V | 4Ohm @ 500mA, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-89 (SOT-563F) | SC-89 (SOT-563F) | SC-89 (SOT-563F) | SC-89 (SOT-563F) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V | 20V | 60V | 60V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.6nC @ 4.5V | 0.75nC @ 4.5V | 0.75nC @ 4.5V | 1.7nC @ 15V |
SI1026X-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSI1026X-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI1031R-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 140MA SC75ASI1024X-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89-6SI1032R-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 140MA SC75A
SI1025X-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI1031R-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 140MA SC75ASI1026X-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI1029X-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 60V SC89-6SI1025X-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89SI1024X-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563FSI1025XElectro-Films (EFI) / VishaySI1025X-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563FSI1032R-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 140MA SC75ASI1024X-T1-E3 SOT563Electro-Films (EFI) / VishaySI1024X-TI-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI1031XElectro-Films (EFI) / VishaySI1031R-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI1026X-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563FSI1028X-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V SC89-6| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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